■特長

・LSI、電子部品等の故障箇所を非破壊で特定可能
・多層基板や積層構造部品の解析も可能
・印加電圧は±3000Vまで可能で、高耐圧素子の解析にも対応

・高密度実装多層基板や最先端パッケージ部品に対応（自社製プロービングシステムによる）

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■原理概略

対象試料にパルス電圧を印加しながら、試料表面を赤外線カメラで撮影します。このときパルス電圧と同期した発熱のみを抽出することで感度を向上させます。（ロックイン解析）
また、表面温度の上昇は発熱点から表面に伝わる時間分だけ遅れるため、パルス電圧と温度変化の時間差（位相差）から、故障箇所の深さ方向の位置を推定することができます。

■解析事例

対象試料：ESD試験機を用いて高電圧を印加し、ショート故障状態にしたIC

1.パッケージ樹脂開封前に（モールド樹脂越しで）ロックイン赤外線発熱解析を実施し、発熱が検出されました（位置の特定）

2.樹脂開封後にチップ（Si）表面のロックイン赤外線発熱解析を実施し、発熱箇所の絞込みができました。

3.ICチップ上の膜を全て除去（エッチバック）し、Si表面を走査型電子顕微鏡（SEM）により観察した結果、発熱箇所近傍に破壊痕が観察されました。

解析（故障／良品）・観察・分析のお問い合わせ

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