シロキサンによる接点障害を防止します

シロキサン接点障害に関する、原因解析、シロキサンガスの発生源特定、発生量測定シロキサンガス暴露試験（再現試験）など一連の分析、解析、再現試験等をワンストップで実施します。

■低分子シロキサンとは

シロキサンとは（－Si－O－Si－）を分子骨格に持つ、けい酸有機化合物の総称です。
その分子骨格の中にO－Si－Oの構造がn個あるものをn量体といい、量体の数字が大きくなると沸点が高く、逆に量体の数字が小さいと沸点が低くなります。一般環境中で影響をおよぼすとされる量体は3量体～9量体程度といわれており、常温・常圧で気化し、雰囲気中を浮遊する可能性があります。  

■低分子シロキサン接点障害とは

電子部品に対してシロキサンが不具合を誘発する例としてはリレーの接点不良があります。密閉された部品の中に低分子シロキサンを発生させるシリコーンを使用していると、
部品の動作熱により、シロキサンが発生します。リレー接点の開閉時に発生するアークにより接点近傍のシロキサンが分解されてSiO₂となり接点上に堆積して接点障害を引き起こすというものです。 

■シロキサン接点障害の分析例

シロキサンガス雰囲気中でON／OFFを繰り返した接点に付着した異物の元素分析（面分析）を実施しました。Si・Oは異物と同じ分布がみられますが、Ｃは全体に分布していることから、異物はSi・Oだけで構成されるSiO₂と推定されます。

化学分析や成分分析に関するお問い合わせ

RoHS指令の規制物質、REACH規則で定められた高懸念物質（SVHC）のスクリーニング分析から精密分析まで、成分分析については、OKIエンジニアリングまでお気軽にお問い合わせください。

お見積りのご依頼や試験可否については、製品や部品の品名情報、詳しい試験や分析の条件についてお知らせいただけるとスムーズです。