【Live配信セミナー 11/13】半導体CMPのメカニズムとスラリー・パッド技術

＜セミナー　No.611423＞

半導体CMPのメカニズムとスラリー・パッド技術

★ スラリー・パッドの材料設計から高能率化、プロセスモニタリング技術を徹底解説！

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■講師

１． 岐阜大学　工学部　機械工学科　機械コース　教授　博士(工学)　畝田 道雄 氏
２． 日揮触媒化成(株)　ファイン研究所　MM第一研究グループ　マネージャー　碓田 真也 氏
３． ノリタケ(株)　研究開発センター　1グループ　1チーム　博士（工学）　佐藤 誠 氏

■聴講料

１名につき６０，５００円（消費税込・資料付き）　

１社２名以上同時申込の場合１名につき５５，０００円（税込）

大学、公的機関、医療機関の方には割引制度があります。詳しくはお問い合わせください。

■Live配信セミナーの受講について
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プログラムあああああああああああああああああああああああああああああああああああああ

＜１０：４５～１２：１５＞

１．CMPの可視化とインプロセスモニタリング
岐阜大学　工学部　機械工学科　機械コース　教授　博士(工学)　畝田 道雄 氏
　
【講演概要】
　CMP（Chemical Mechanical Polishing）は半導体基板や各種基板の最終平坦化工程として広く用いられているが，スラリー中の砥粒がどのように基板へ作用して材料除去が生じるかについては十分に理解されていない．本講演では，接触画像解析法およびその場観察技術を用いて，CMP加工中の接触界面におけるスラリー挙動を可視化した研究成果を紹介する．さらに，これらの結果をもとに，スラリーのみならずパッドを含めた副資材の接触状態と材料除去との関係について考察し，CMPにおける材料除去メカニズムについて解説する。

1.半導体製造におけるCMP・洗浄の位置付け

2.CMPで使われる副資材
　2.1 スラリー
　2.2 パッド
　2.3 コンディショナ

3.CMPのメカニズム
　3.1 スラリー(砥粒)とパッドの関係
　3.2 砥粒による研磨作用

4.パッド状態センシング
　4.1 パッドの連続使用による劣化、材料除去率の変化
　4.2 接触画像解析

5.スラリー状態センシング
　5.1 スラリー状態の観察、センシング技術
　5.2 動的接触観察

6.モータ負荷電流によるプロセス状態センシング

7.AEセンシングによる CMPプロセスのリアルタイムモニタリング

【質疑応答】

＜１３：１５～１４：３０＞

２．シリカ系ナノ粒子の特徴と半導体研磨への応用技術
日揮触媒化成(株)　ファイン研究所　MM第一研究グループ　マネージャー　碓田 真也 氏

　

【講演概要】
微細化・高性能化が進む半導体製造プロセスにおいて、平坦化プロセスであるCMPの重要性と、砥粒に対する要求は高まり続けている。本講座では砥粒の物性と機能の関係、砥粒の取り扱い方と注意事項について、素材・砥粒メーカーの視点から解説する。

【受講対象】
ナノ粒子を取り扱う技術者。可能な限り初学者向けに解説する

【受講後、習得できること】
・ナノ粒子の基本特性
・ハンドリング時の注意事項
・研磨砥粒への応用例

1.ナノ粒子とはどのようなものか？
　1.1 基本特性
　1.2 サイズ
　1.3 形状
　1.4 表面
　1.5 バルク

2.ハンドリング時の注意事項
　2.1 分散安定性に関して

3.研磨砥粒への応用例
　3.1 データを元に事例紹介

【質疑応答】

＜１４：４５～１６：００＞

３．SiC単結晶の強酸化剤援用CMPと砥粒内包研磨パッドによるCMP
ノリタケ(株)　研究開発センター　1グループ　1チーム　博士（工学）　佐藤 誠 氏

1.SiC単結晶のCMP（最終研磨）に求められるもの

2.SiC単結晶の高能率CMP
　2.1 SiC単結晶CMPの高能率化の試み
　2.2 過マンガン酸カリウム援用によるSiC単結晶のCMP

3.SiC単結晶に用いるCMPパッドについて

4.砥粒内包研磨パッドのSiC単結晶のCMPへの適用
　3.1 砥粒内包研磨パッドとは？
　3.2 砥粒内包研磨パッドによる過マンガン酸カリウム援用CMP
　3.3 SiC単結晶のさらなる高能率化

5.過マンガン酸カリウム援用CMPのメカニズムについて

6.まとめ

【質疑応答】

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