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RBS：ラザフォード後方散乱分析

RBS ラザフォード後方散乱分析 / 試験・分析・測定

RBS：ラザフォード後方散乱分析概略

RBS（Rutherford Backscattering Spectrometry：ラザフォード後方散乱分析）では、He等の軽いイオンをMeV程度の高エネルギーに加速して固体に照射することで固体元素の原子核により後方側に散乱されたイオンのエネルギーを測定することで、固体中に含まれる原子の組成・量・深さ方向分布を分析することができます。

HFS（水素前方散乱分析）を併用することによりHを含めた薄膜の組成・深さ方向分布が高精度で分かります。さらにPIXE（粒子励起X線分析）・NRA（核反応分析）を組み合わせることも可能です。

＊各分析手法の分析深さはSMART Chartからご覧いただけます

加速粒子分析手法

RBS：Rutherford Backscattering Spectrometry（ラザフォード後方散乱分析）
HFS：Hydrogen Forward Scattering（水素前方散乱分析）
PIXE：Particle Induced X-ray Emission（粒子励起X線分析）
NRA：Nuclear Reaction Analysis（核反応分析）

対象分野

半導体
エレクトロニクス
自動車
航空宇宙
鉄鋼
先端材料
エネルギー

対象試料の事例

シリサイド膜	WSiPt、Si、TiSi、CoSi、CrSi、NiSi、PdSi
金属・合金	Al、Ti、Cu、Mo、W、Pt、Ag、AlCu、PtMn、TiW、PtFe、 IrMn
バリア膜	TiN、TaN
絶縁膜・コーティング膜	SiO、SiN、SiON、HfSiO、FSG、BSG、BPSG、HSQ、 SiOC、polyimide、Teflon、DLC、SOI、BST、STO、PZT、 SBT
半導体薄膜・酸化物半導体薄膜	SiGe、 AlGaN、InGaN、IGZO