PCOR-SIMS：Point by point Corrected 二次イオン質量分析法

PCOR-SIMS（Point by point Corrected SIMS）はSIMSをベースに、EAG Laboratoriesが長年の経験とノウハウから独自開発した分析手法です。
試料のマトリクスの変化に対して感度係数とスパッタリングレートを深さ方向全てのポイントに対して補正し、精度の高い深さ方向プロファイルを得ることが可能な高度なEnhanced SIMS技術です。

PCOR-SIMSは化合物半導体の微量元素・組成評価、Shallow B、As、P等の極浅イオン注入（ULE）分布評価などに有効です。

＊各分析手法の分析深さはSMART Chartからご覧いただけます

対象分野

• 半導体
• エレクトロニクス
• 自動車
• 航空宇宙

用途事例

• 化合物半導体中のドーパント濃度深さ方向分析
• 化合物半導体中のエピタキシャル層の膜厚分析
• Si基板中の極低エネルギーイオン注入分布評価

対象試料の事例

• 化合物半導体材料・デバイス III-V系（AlN、GaAs、InP、GaN等）
• SiGe材料
• 極浅接合形成イオン注入深さ方向分析（ULE）B、P、Asイオン注入分布評価

原理/特徴

一次イオン

一次イオンでは酸素（O2+）またはセシウム（Cs+）を使用します。通常2〜20umほどに絞った一次イオンビームを四角にラスター（スキャン）させて試料をスパッタリングします。ラスター面積は、通常数100 μm～数10μm角になります。

二次イオン

ラスター領域から発生した二次イオンの中心領域のみを検出するします。その領域サイズはφ30～150 um（検出感度や試料状態で調整）になります。二次イオン系（電場、磁場）で質量分離されたのち、検出器（ファラデーカップまたはエレクトロンマルチプライヤー）で検出します。

分析事例

PCOR-SIMS：化合物半導体AlGaAsの評価
（VCSEL LASER深さ方向組成、不純物濃度分析）

AlGaAs/GaAs多層エピタキシャル成長膜中のドーパント、不純物元素の正確な濃度定量、精度の高い深さ換算データの提供が可能。

表面からGaAs基板まで高い深さ方向分解能を保つ分析が可能なため、多層薄膜界面における炭素、酸素のスパイクを確認することが可能。

PCOR-SIMS：テへテロバイポーラトランジスタ（HBT）の分析

InGaP エミッタ HBT構造の不純物深さ方向分析（InGaAs、InGaP、GaAsの各層中で正確な濃度を分析）

PCOR-SIMS：Si基板へのBの極浅注入分布評価

プレアモルファス化条件の違いによる100eV注入のB極浅深さ濃度分布。
（Ge、Xeによるプレアモルファス化した条件と接合深さの相違点が判明、PCOR-SIMSでは酸素のモ二ターも可能）

分析に適した試料量/形状

• 形状：推奨10×10mm（厚み0.5～3mm）、
  最小8×6mm（厚み0.5～3mm）で表面鏡面仕上げ

（上記以外の形状・サイズについても対応可能です、弊社までご相談ください）

関連のある分析手法

• SIMS
• TEM/STEM
• TEM/STEM-EDS/EELS
• 3D-APT

分析深さ一覧

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