断面加工・観察

構造解析、材料分析、故障解析のための加工・観察・分析を行います。対象部品の種類や構造・材料から、最適な加工方法（樹脂埋め込み、クロスセクションポリッシャ等）をご提案いたします。
対象部品は基板実装されている部品、BGA、コネクタ等のはんだ接合や基板スルーホール

（Through-hole）、ICのAuボンディング部、IC、SiC、LED、リチウムイオン電池のセパレータ等です。こちらに記載された以外の部品・材質についても種々の加工・観察の実績がございますので、加工・観察をご検討されておりましたら、ぜひお問い合わせください。

試料作製（断面研磨）は機械的に試料を削る（破壊）作業で、試料には限りがあり、やり直しはできません。その為、試料作製は観察目的などについて十分検討した上で実施することが望まれます。試料受領後1週間（最短で3日）で観察結果をご連絡いたします。

樹脂埋め込みによる断面加工・観察の工程

樹脂埋め込みによる試料作製

樹脂埋め込みによる試料作製例

BGAはんだボールの剥離

BGAはんだ接合部の不具合事例（PKG側接合部近傍）より、BGAはんだ接合部の剥離を確認しました。

BGAはんだ接合部の不具合事例 （PKG側接合部近傍）	BGAはんだ接合部の剥離を確認

ICリードはんだ接合部の破断

ICリード端子接続部の不具合事例（配線基板接続部の剥離）が同一試料内で、外観上、つながっている様に見える端子の断面を観察しました。

ICリード端子接続部の不具合事例 （配線基板接続部の剥離）	ICリードはんだ接合部の破断を確認

当社ではクロスセクションポリッシャ（以下、CP）による断面加工を実施しています。CPは

Arイオンを試料に照射し断面加工を行う手法で、機械研磨と比較し研磨ダメージ（物理、熱）を抑えた断面加工が可能です。

CP断面加工・観察例1

目的：パワーデバイス（SiC）のチップ実装状態の観察

• SiCのような固い素材を含む試料について均一な加工が必要であるため、CPによる加工を実施しました。（本件は裏面から加工）

観察写真：走査型電子顕微鏡

CP断面加工・観察例：パワーデバイス（SiC）のチップ実装状態

CP断面加工・観察例2

目的：LEDのチップ積層状態、蛍光体接続状態の観察

• 試料を冷却することにより熱に弱いLEDの蛍光体のような材質について、加工時の熱ダメージを抑えた断面の作成を行いました。観察対象範囲にあわせCP加工エリアを設定し露出しています。

観察写真：走査型電子顕微鏡

CP断面加工・観察例：LEDのチップ積層状態、蛍光体接続状態

CP断面加工・観察例3

目的：リチウムイオン電池のセパレータの構造確認（SEM-EDSによる分析を含む）

• 試料を冷却しながらのCP加工により、加工時の物理ダメージや熱ダメージを抑えた加工を実施しました。観察およびSEM-EDSの元素分析（※1）により、セパレータに使用されている元素の特定を行った例となります。

※1： EDSの元素分析

電子線を試料に照射し、試料から出てきた特性X線を検出器で検出し、試料に含まれる元素の種類と含有率を調べます。

観察写真：走査型電子顕微鏡

CP断面加工・観察例：リチウムイオン電池のセパレータの構造確認

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