6/20 パワーデバイス半導体SiC結晶と欠陥評価技術

 名古屋大学　未来材料・システム研究所　附属未来エレクトロニクス集積研究センター

　未来デバイス部　准教授　博士(工学)　原田 俊太　氏
【講師紹介】 

 　SiCパワーデバイスは、N700S系新幹線をはじめとする電鉄車両の電力変換や、電気自動車、などにすでに用いられており、社会実装が始まっている。しかし、無転位の結晶を前提とすることができるSiと比較すると、多くの結晶欠陥がSiCウェハには含まれており、SiCパワーデバイスの生産性を低下させる原因となっている。このため、SiCパワーデバイスにおいては、結晶欠陥の評価が重要となる。
　本講座では、SiC結晶やその欠陥の種類、デバイス特性への影響についてレビューした後、結晶欠陥の評価手法に関して解説を行い、SiCウェハの欠陥評価法の理解を深める。

 はじめに
　1．SiCパワーデバイスの市場概況
　2．SiCパワーデバイスの特性比較（Siとの比較）

SiCの基礎
　3．SiCの結晶構造と多形
　4．六方晶の結晶方位（四指数法）
　5．結晶多形（Polytype）の解説
　6．Si面とC面

SiC結晶の成長法
　7．昇華法
　8．CVD法
　9．溶液法

結晶欠陥の基礎
　10．結晶欠陥の種類（0次元から3次元）
　11．結晶欠陥の観察例と観察法
　12．欠陥がデバイス性能に与える影響

SiCの結晶欠陥
　13．マイクロパイプと転位
　14．積層欠陥

結晶欠陥の評価技術
　15．X線トポグラフィ法
　16．KOHエッチング法
　17．フォトルミネッセンス法
　18．透過電子顕微鏡法
　19．偏光顕微鏡法

マルチモーダル解析
　20．結晶欠陥のマルチモーダル解析
　21．欠陥自動検出アルゴリズム

実例と応用
　22．RAF法による結晶欠陥低減
　23．溶液法における結晶欠陥低減
　24．基底面転位とバイポーラ劣化
　25．CVD法による基底面転位の変換
　26．欠陥制御によるバイポーラ劣化抑制技術
　27．低抵抗SiC基板における積層欠陥形成
　28．貫通転位とデバイスリーク

まとめと質疑応答
　29．まとめ
　30．質疑応答

※詳細・お申込みは上記

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