6/30 先端半導体パッケージに向けた材料・実装技術の開発動向

第１部 (13:00～14:30)
「先端半導体パッケージで必要とされる材料技術とJOINT2の取り組み」
　講師：(株)レゾナック　エレクトロニクス事業本部　開発センター
　　　　パッケージングソリューションセンター　姜 東哲 氏

第２部 (14:40～15:50)
「ポリイミド絶縁材料を用いたハイブリッド接合技術」
　講師：東レ(株)　シニアフェロー　富川 真佐夫 氏　[講師紹介]

第３部 (16:00～17:00)
「IoT時代のチップ低温接合と微細配線/バンプ形成プロセス等の新たな実装技術」

　講師：コネクテックジャパン(株)　先端開発部　部長　小松 裕司 氏

　[講師紹介] 
　ソニー(株)にて、半導体LSI用薄膜形成(CVD)技術、低消費電力SOIデバイス、MONOS型不揮発性半導体メモリ等の開発に従事。
　文部科学省科学技術政策研究所への出向・帰任後、ソニー本社にて技術戦略立案に従事。
　2015年からコネクテックジャパン(株)にて半導体後工程プロセス開発を担当。

第１部『先端半導体パッケージで必要とされる材料技術とJOINT2の取り組み』

　2.xDパッケージを始めとする先端パッケージには、その組み立て工程において様々な技術課題が存在します。半導体材料メーカーであるレゾナックの視点から、今後の半導体材料に必要とされる材料技術に関して議論させていただき、取り組みの一環である企業連携プロジェクト“JOINT2”のご紹介をさせていただきます。

１．会社紹介
２．パッケージングソリューションセンター概要
３．企業連携プロジェクトJOINT2の紹介と技術ターゲット
４．JOINT2取り組み状況
　　4.1 微細バンプ接合技術の現状と課題
　　4.2 樹脂充填、封止技術の現状と課題
　　4.3 大型基板パッケージングにおける現状と課題
　　4.4 求められる信頼性に関する現状と課題

□ 質疑応答 □
 

第２部『ポリイミド絶縁材料を用いたハイブリッド接合技術』

　半導体の進化とハイブリッドボンディング技術について歴史、展開を述べ、各種ハイブリッドボンディング技術について概要を説明し、樹脂を用いたハイブリッドボンディング技術の特徴、課題を示す。

１．東レ紹介
２．半導体の進化とハイブリッドボンディング技術
３．各種ハイブリッドボンディング技術
４．樹脂を用いたハイブリッドボンディング技術
５．まとめ

□ 質疑応答 □
 

第３部『IoT時代のチップ低温接合と微細配線/バンプ形成プロセス等の新たな実装技術』

　IoTの時代をむかえ、各種半導体やセンサが多様な基板に実装されようとしている。この状況の中で半導体チップの実装温度を下げる事により、様々な応用を広げる事が可能となる。一方で、集積度を増大し続ける半導体チップが実装に与える影響について述べ、インプリント技術により、従来の印刷法では実現が難しい微細・高アスペクト配線およびバンプを設計パターンサイズに忠実、かつスムーズなエッジ形状で形成する事が可能である事を説明する。

１．IoT時代の半導体実装
　　1.1 多様化する半導体チップ、センサ、基板
　　1.2 フリップチップ接合プロセスの低温化
　　1.3 応用事例
２．半導体チップ技術動向
　　2.1 半導体チップのピン数トレンド
　　2.2 半導体チップのパッドピッチトレンド
　　2.3 システム・イン・パッケージ（SiP）集積化動向 
３．半導体実装へのインプリント技術応用
　　3.1 なぜインプリント技術か？
　　3.2 インプリント技術による配線およびバンプ形成プロセスフロー
　　3.3 ハードレプリカを用いた10μmピッチ配線およびバンプ同時形成
　　3.4 ソフトレプリカを用いた基板配線段差部への配線形成
４．まとめと今後の展望

□ 質疑応答 □

■得られる知識
・低温フリップチップ接合プロセスとその適用事例
・半導体チップ実装集積化動向
・半導体実装へのインプリント技術応用

※詳細・お申込みは上記

「お申し込みはこちらから」（遷移先WEBサイト）よりご確認ください。