イベント
6/19 ＜半導体デバイス向けプラズマ装置による高品質成膜へ＞ プラズマＣＶＤ（化学気相堆積）装置による 高品質薄膜の成膜技術、および量産化対応
| イベント名 | ＜半導体デバイス向けプラズマ装置による高品質成膜へ＞ プラズマＣＶＤ（化学気相堆積）装置による 高品質薄膜の成膜技術、および量産化対応 |
|---|---|
| 開催期間 |
2025年06月19日（木）
13:00～16:30 【アーカイブの視聴期間】 2025年6月20日(金)～6月26日(木)まで このセミナーはアーカイブ付きです。セミナー終了後も繰り返しの視聴学習が可能です。 ※会社・自宅にいながら受講可能です※ |
| 会場名 | 【ZoomによるLive配信セミナー】アーカイブ(見逃し)配信付き |
| 会場の住所 | オンライン |
| お申し込み期限日 | 2025年06月19日（木）13時 |
| お申し込み受付人数 | 30 名様 |
| お申し込み |
|
＜半導体デバイス向けプラズマ装置による高品質成膜へ＞
プラズマＣＶＤ（化学気相堆積）装置による
高品質薄膜の成膜技術、および量産化対応
■装置メーカーの立場から、プラズマCVD装置の技術／課題と対策を解説■
受講可能な形式：【Live配信(アーカイブ配信付)】のみ
【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク
★ アーカイブ受講のみもOKです。
★ 30年以上の実績・経験がある装置メーカーから、実務レベルで解説いたします！
| 【Live配信受講者 限定特典のご案内】
当日ご参加いただいたLive(Zoom)配信受講者限定で、特典(無料)として
「アーカイブ配信」の閲覧権が付与されます。
オンライン講習特有の回線トラブルや聞き逃し、振り返り学習にぜひ活用ください。 |
| 講師 |
SPPテクノロジーズ(株)
製造部 次長 兼 生産管理グループ長 兼 マーケティング部 マネジャー 金尾 寛人 氏
【経歴・研究内容・専門・活動】
1989年3月 名古屋工業大学 工学部 第一部 電気情報工学科を卒業．
1989年4月 住友金属工業(株)に入社．
Si基板上GaAs膜のヘテロエピタキシー成膜技術の研究開発(1年)や半導体デバイス向けECRプラズマ装置による成膜、エッチング技術の研究開発及び商品開発(10年)
2000年4月 住友精密工業(株)に入社(派遣、2002年3月転籍、2011年12月にSPPテクノロジーズに出向)
MEMSや光デバイス向けプラズマ装置による成膜、エッチング技術の研究開発及び商品開発(3年半)
装置全般の技術営業、マーケティング（現在）
【WebSite】
https://www.spp-technologies.co.jp/
| セミナー趣旨 |
当社は、1989年から「研究開発用半導体一貫製造システム」の開発を開始して、装置メーカーとして、30年以上の実績・経験があります。この講演では、プラズマCVD装置に関して、開発してきた技術や課題と対策を中心にご紹介いたします。
| セミナー講演内容 |
＜得られる知識・技術＞
プラズマCVD装置に関して、開発してきた技術や課題と対策について知ることができます。
＜プログラム＞
１．プラズマCVD装置の基本構造
1.1 プラズマCVD装置の構成
1.2 反応チャンバーの基本構成
２．プラズマCVD装置の用途
2.1 適用アプリケーション
３．プラズマCVD装置のプロセス性能
3.1 SiH4系SiO2膜
3.2 SiH4系SiN膜
3.3 SiH4系SiON膜
3.4 SiH4系a-Si膜
3.5 SiH4系SiC膜
3.6 TEOS系SiO2膜
3.7 液体ソース系SiN膜
４．開発用装置と量産用装置
4.1 プラットフォーム
５．プラズマCVD装置の課題と対策
5.1 高レート化
5.2 プロセスの再現性
5.3 低パーティクル
5.4 チャンバークリーニング
5.5 ウェーハ温度の低温化
5.6 ウェーハ大口径化 など
□質疑応答□
プラズマCVD装置に関して、開発してきた技術や課題と対策について知ることができます。
＜プログラム＞
１．プラズマCVD装置の基本構造
1.1 プラズマCVD装置の構成
1.2 反応チャンバーの基本構成
２．プラズマCVD装置の用途
2.1 適用アプリケーション
３．プラズマCVD装置のプロセス性能
3.1 SiH4系SiO2膜
3.2 SiH4系SiN膜
3.3 SiH4系SiON膜
3.4 SiH4系a-Si膜
3.5 SiH4系SiC膜
3.6 TEOS系SiO2膜
3.7 液体ソース系SiN膜
４．開発用装置と量産用装置
4.1 プラットフォーム
５．プラズマCVD装置の課題と対策
5.1 高レート化
5.2 プロセスの再現性
5.3 低パーティクル
5.4 チャンバークリーニング
5.5 ウェーハ温度の低温化
5.6 ウェーハ大口径化 など
□質疑応答□
※詳細・お申込みは上記
「お申し込みはこちらから」（遷移先WEBサイト）よりご確認ください。
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