| イベント名 | 酸化ガリウム(Ga2O3)・ルチル型GeO2の結晶成長・薄膜形成とデバイス応用 |
|---|---|
| 開催期間 |
2026年11月26日（木）
～ 2026年12月14日（月）
【ライブ受講】 2026年11月26日（木） 13:00～16:30 【アーカイブ受講】 2026年12月14日（月）まで受付 （配信期間：12/14～12/24） ※講義の録音・録画・撮影はご遠慮ください。 ※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。 ■配布資料 PDFデータ(印刷可・編集不可) ※開催2日前を目安に、主催会社様HPのS&T会員マイページよりダウンロード可となります。 ※アーカイブ配信受講の場合は、配信開始日からダウンロード可となります。 |
| 会場名 | 【ライブ配信（Zoom使用）受講】もしくは【アーカイブ配信受講】 |
| 会場の住所 | オンライン |
| お申し込み期限日 | 2026年12月14日（月）12時 |
| お申し込み受付人数 | 30 名様 |
| お申し込み |
|
酸化ガリウム(Ga2O3)・ルチル型GeO2の結晶成長・薄膜形成とデバイス応用
ミストCVD法とGa2O3・ルチル型GeO2の結晶多形制御
論文や特許調査から酸化ガリウムやルチル型GeO2に関連する研究開発動向も解説
受講料（税込）：49,500円
＼お得な割引キャンペーン実施中！／
詳細・お申し込みは「お申し込みはこちらから」よりご確認ください。
【オンライン配信】
ライブ配信 ►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください）
アーカイブ配信 ►受講方法・視聴環境確認（申込み前に必ずご確認ください）
セミナー視聴はマイページから
お申し込み後、マイページの「セミナー資料ダウンロード／映像視聴ページ」に
お申込み済みのセミナー一覧が表示されますので、該当セミナーをクリックしてください。
（アーカイブ配信は、配信日に表示されます。）
講師
京都工芸繊維大学 電気電子工学系・教授 西中 浩之 氏
セミナー趣旨
本講演では、低コストの成膜方法として期待されているミストCVD法と、現在次々世代パワー半導体として注目されているGa2O3とルチル型GeO2の結晶成長について説明します。Ga2O3やGeO2は複数の結晶多形を持ち、適切なデバイス動作にはこれらの結晶多形を制御する必要があります。本セミナーではGa2O3の結晶多形の特徴や形成技術、そのデバイス応用に向けた研究動向、ルチル型GeO2の結晶多形制御技術やそのデバイス動作などについて説明します。また、論文や特許調査から酸化ガリウムやルチル型GeO2に取り組んでいる研究機関などについても紹介します。形成技術については講演者が開発したミストCVD法を中心に、MBE法やMOCVD法などの手法でのGa2O3とルチル型GeO2についての例を紹介します。
セミナー講演内容
１．酸化ガリウムの結晶多形
1.1 結晶多形の結晶構造
1.2 結晶多形による特徴
1.3 結晶多形による研究開発動向
２．酸化ゲルマニウム
2.1 結晶多形の結晶構造
2.2 ルチル型酸化ゲルマニウムの特徴
2.3 研究開発動向
３．ミストCVD法
3.1 ミストCVD法の歴史
3.2 ミストCVD法の原理
４．酸化ガリウムの作製技術
4.1 成長方法全般
4.2 結晶多形の制御方法
５．ミストCVD法による酸化ガリウムの作製技術
5.1 α型酸化ガリウムの結晶成長
5.2 β型酸化ガリウムの作製技術
5.3 κ、γ、δ型酸化ガリウムの作製技術
６．ミストCVD法によるルチル型酸化ゲルマニウムの作製技術
6.1 ミストCVD法でのルチル型酸化ゲルマニウムの成長
6.2 ルチル型酸化ゲルマニウムの課題
７．パワーデバイスへの応用と今後の動向
7.1 酸化ガリウムのデバイス例
7.2 ルチル型酸化ゲルマニウムのデバイス例
□ 質疑応答 □
※詳細・お申込みは上記
「お申し込みはこちらから」（遷移先WEBサイト）よりご確認ください。
※満席・日程終了などで参加が難しい場合は、下記「お問い合わせ」ボタンより再開催のリクエストを承っております
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