3/19 ＥＵＶリソグラフィー技術の基礎、最新技術動向と 課題解決策および今後の展望

 兵庫県立大学高度産業科学技術研究所 次世代EUVL寄附講座 PI・特任教授　渡邊 健夫　氏

＜WebSite＞
http://www.lasti.u-hyogo.ac.jp

 　極端紫外線リソグラフィー（EUVL）技術は３０年に開発期間を経て漸く7 nm nodeの半導体デバイスの量産に適用されました。一方で、2 nm node以降のロジックデバイス向けのEUVL技術について多くの技術課題を抱えています。

　EUVL技術の黎明期の基礎技術開発を紹介するとともに、最新技術開発の現状、課題への取り組み、並びに今後の半導体微細加工技術の展開についても詳説します。

 ＜得られる知識・技術＞
極端紫外線リソグラフィー技術について、EUV光源技術、多層膜技術、光学系技術、マスク技術、レジスト技術等基盤技術全般に亘り解説します。

＜プログラム＞
１．はじめに
　1.1 IoTおよびAIに期待すること
　1.2 半導体市場
　1.3 半導体国際ロードマップから読み取れること
　1.4 半導体微細加工技術の必要性
　1.5 今後の半導体技術動向と市場との関係
　1.6 今後の半導体技術に期待すること

２．リソグラフィー技術
　2.1 リソグラフィー技術の変遷
　2.2 黎明期のX線縮小露光技術からEUVリソグラフィー技術への展開
　2.3 EUVリソグラフィーとは
　　　EUV光源、光学系、レジスト、マスク、露光機の概要

３．兵庫県立大学でのEUVリソグラフィー技術開発の取り組み
　3.1 日本、米国のEUVLプロジェクトの変遷
　3.2 ニュースバル放射光施設の紹介

４．EUVリソグラフィー技術課題に対する取り組み
　4.1 レジスト材料プロセス技術
　4.2 マスク欠陥技術
　4.3 ペリクル技術
　4.4 光源技術

５．次世代EUVリソグラフィー
　5.1 Hyper NA
　5.2 Beyond EUV(EUVリソグラフィーの短波長化)

６．日本の半導体技術の過去、現在、今後
　　日本の半導体技術の覇権に重要な要素

７．まとめ

　　□質疑応答□

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