| イベント名 | ドライエッチング技術の基礎と 原子層エッチング（ALE）の最新技術動向 |
|---|---|
| 開催期間 |
2026年03月02日（月）
10:30～16:30 【アーカイブの視聴期間】 2026年3月3日(火)～3月9日(月)まで ※このセミナーはアーカイブ付きです。セミナー終了後も繰り返しの視聴学習が可能です。 ※会社・自宅にいながら受講可能です。 ※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。 ※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。 【配布資料】 PDFテキスト(印刷可・編集不可) ※開催2日前を目安に、弊社HPのマイページよりダウンロード可となります。 |
| 会場名 | 【ZoomによるLive配信セミナー】アーカイブ(見逃し)配信付き |
| 会場の住所 | オンライン |
| お申し込み期限日 | 2026年03月02日（月）10時 |
| お申し込み受付人数 | 30 名様 |
| お申し込み |
|
ドライエッチング技術の基礎と
原子層エッチング（ALE）の最新技術動向
■最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術■
■半導体プロセス分野のデジタル・トランスフォーメーション（DX）■
【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク
※視聴期間は終了翌日から7日間を予定しています。
※マイページからZoomの録画視聴用リンクにてご視聴いただきます。
★ 最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、
| 【Live配信受講者 限定特典のご案内】
当日ご参加いただいたLive(Zoom)配信受講者限定で、特典(無料)として
「アーカイブ配信」の閲覧権が付与されます。
オンライン講習特有の回線トラブルや聞き逃し、振り返り学習にぜひ活用ください。 |
| 講師 |
大阪大学エマージングサイエンスデザインR³センター 特任教授・名誉教授 浜口 智志 氏
【専門】プラズマ物理学、プラズマプロセス工学、核融合科学
| セミナー趣旨 |
本講座では、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説し、特に、近年注目を集める原子層エッチング（ALE）技術について、表面反応機構から最新技術動向までを詳しく紹介する。関連項目として、プラズマＣＶＤと原子層堆積（ALD)プロセス、および、現在進行しつつあるプロセス開発におけるデジタル・トランスフォーメーション（DX)の最新研究動向についても、概要を紹介する。プラズマプロセスの初心者でも聴講できる講義内容を目指す。
| セミナー講演内容 |
＜習得できる知識＞
・プラズマプロセスの基礎知識
・ドライエッチングの基礎知識
・原子層エッチング（ALE)の基礎知識と最新技術動向
＜プログラム＞
１．背景
２．プラズマ科学の基礎
３．代表的なプラズマプロセス装置
４．反応性イオンエッチング（RIE）の基礎
4.1 プラズマ表面相互作用
4.2 表面帯電効果
4.3 シリコン系材料エッチング反応機構
4.4 金属・金属酸化物材料エッチング反応機構
4.5 高アスペクト比（HAR)エッチング概要
５．プラズマCVD概要：原子層堆積（ALD)の基礎として
６．ALDプロセスの概要：原子層エッチング（ALE）の逆過程として
6.1 熱ALD
6.2 プラズマ支援(PA-)ALD
７．ALEプロセスの概要と最新技術動向
7.1 PA-ALE
7.2 熱ALE：リガンド交換
7.3 熱ALE：金属錯体形成
８．半導体プロセス分野のデジタル・トランスフォーメーション（DX）
8.1 プロセス数値シミュレーションとTCAD(technical computer aided design)
8.2 仮想計測(VM)とプロセス装置制御
8.3 マテリアルズ・インフォマティクス
8.4 プロセス開発における機械学習（ML)・AIの活用
９．まとめ
□質疑応答□
※詳細・お申込みは上記
「お申し込みはこちらから」（遷移先WEBサイト）よりご確認ください。
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