3/2 ドライエッチング技術の基礎と 原子層エッチング（ALE）の最新技術動向

大阪大学エマージングサイエンスデザインR³センター 特任教授・名誉教授　浜口 智志　氏

【専門】プラズマ物理学、プラズマプロセス工学、核融合科学

　本講座では、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説し、特に、近年注目を集める原子層エッチング（ALE）技術について、表面反応機構から最新技術動向までを詳しく紹介する。関連項目として、プラズマＣＶＤと原子層堆積（ALD)プロセス、および、現在進行しつつあるプロセス開発におけるデジタル・トランスフォーメーション（DX)の最新研究動向についても、概要を紹介する。プラズマプロセスの初心者でも聴講できる講義内容を目指す。

＜習得できる知識＞
・プラズマプロセスの基礎知識
・ドライエッチングの基礎知識
・原子層エッチング（ALE)の基礎知識と最新技術動向

＜プログラム＞
１．背景

２．プラズマ科学の基礎

３．代表的なプラズマプロセス装置

４．反応性イオンエッチング（RIE）の基礎
　4.1 プラズマ表面相互作用
　4.2 表面帯電効果
　4.3 シリコン系材料エッチング反応機構
　4.4 金属・金属酸化物材料エッチング反応機構
　4.5 高アスペクト比（HAR)エッチング概要

５．プラズマCVD概要：原子層堆積（ALD)の基礎として

６．ALDプロセスの概要：原子層エッチング（ALE）の逆過程として
　6.1 熱ALD
　6.2 プラズマ支援(PA-)ALD

７．ALEプロセスの概要と最新技術動向
　7.1 PA-ALE
　7.2 熱ALE：リガンド交換
　7.3 熱ALE：金属錯体形成

８．半導体プロセス分野のデジタル・トランスフォーメーション（DX）
　8.1 プロセス数値シミュレーションとTCAD(technical computer aided design)
　8.2 仮想計測(VM)とプロセス装置制御
　8.3 マテリアルズ・インフォマティクス
　8.4 プロセス開発における機械学習（ML)・AIの活用

９．まとめ

　　□質疑応答□

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