5/30 ダイヤモンド半導体デバイスの基礎知識とそのポテンシャル、今後の課題

佐賀大学 大学院理工学研究科／海洋エネルギー研究所（併任） 教授　嘉数 誠　氏
【専門】半導体工学　 

 　近年、SiC（シリコンカーバイド）やGaN(窒化ガリウム)といったワイドギャップ半導体の研究開発が盛んにおこなわれていますが、ダイヤモンド半導体は、これらの半導体より、さらにワイドギャップで、大電力、高効率パワー半導体への応用が期待されています。
　ダイヤモンド半導体の研究は30年以上の長い歴史がありますが、最近、大口径ウェハやドーピングといった半導体の基盤技術が開発され、実用化が現実的になってきました。セミナーでは、基礎から上記のような最近の成果まで、わかりやすく解説いたします。

１．ダイヤモンド半導体の社会からの期待
　1.1 ダイヤモンドの物性の特徴
　1.2 様々なダイヤモンド半導体デバイス

２．ダイヤモンド結晶成長技術
　2.1 ダイヤモンド結晶成長の基礎
　2.2 ダイヤモンドCVD成長技術
　2.3 ダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長技術
　2.4 なぜサファイア基板を用いるか　
　2.5 ダイヤモンド結晶成長機構の最近の成果
　2.6 今後の課題　

３．ダイヤモンド半導体デバイス作製技術
　3.1 パワー半導体デバイスの原理
　3.2 ダイヤモンドのドーピング技術
　3.3 ダイヤモンドの絶縁膜堆積技術
　3.4 ダイヤモンドFET作製方法
　3.5 ダイヤモンドFETの新構造、選択ドーピング構造
　3.6 ダイヤモンドFETのパワー特性
　3.7 ダイヤモンドFETの高周波特性
　3.8 ダイヤモンドFETのスイッチング特性
　3.9 ダイヤモンドFETの長時間ストレス特性
　3.10 今後の課題

４．将来の展望

５．まとめ

　　□ 質疑応答 □ 

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