イベント名 | ダイヤモンド半導体デバイスの基礎知識と そのポテンシャル、今後の課題 |
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開催期間 |
2023年05月30日(火)
13:00~16:30 ※会社・自宅にいながら受講可能です※ |
会場名 | Live配信セミナー(リアルタイム配信) |
会場の住所 | 東京都 |
お申し込み期限日 | 2023年05月30日(火)13時 |
お申し込み受付人数 | 30 名様 |
お申し込み |
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ダイヤモンド半導体デバイスの基礎知識と
そのポテンシャル、今後の課題
~原理・物性の理解と大口径ウェハ化、デバイスの作製技術・高性能化~
受講可能な形式:【Live配信】のみ
近年では、大口径化やドーピング技術など基盤技術が開発され、実用化が近づいてきています。
ダイヤモンドの結晶成長の技術からダイヤモンド半導体デバイス作製技術まで
基礎知識から最新の研究動向までわかりやすく解説致します!
・パワー半導体デバイスの原理
・ダイヤモンドの結晶成長
・ダイヤモンド半導体デバイスの原理、特性
・実用回路の中のダイヤモンド半導体デバイス
講師 |
佐賀大学 大学院理工学研究科/海洋エネルギー研究所(併任) 教授 嘉数 誠 氏
【専門】半導体工学
趣旨 |
近年、SiC(シリコンカーバイド)やGaN(窒化ガリウム)といったワイドギャップ半導体の研究開発が盛んにおこなわれていますが、ダイヤモンド半導体は、これらの半導体より、さらにワイドギャップで、大電力、高効率パワー半導体への応用が期待されています。
ダイヤモンド半導体の研究は30年以上の長い歴史がありますが、最近、大口径ウェハやドーピングといった半導体の基盤技術が開発され、実用化が現実的になってきました。セミナーでは、基礎から上記のような最近の成果まで、わかりやすく解説いたします。
プログラム |
1.ダイヤモンド半導体の社会からの期待
1.1 ダイヤモンドの物性の特徴
1.2 様々なダイヤモンド半導体デバイス
2.ダイヤモンド結晶成長技術
2.1 ダイヤモンド結晶成長の基礎
2.2 ダイヤモンドCVD成長技術
2.3 ダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長技術
2.4 なぜサファイア基板を用いるか
2.5 ダイヤモンド結晶成長機構の最近の成果
2.6 今後の課題
3.ダイヤモンド半導体デバイス作製技術
3.1 パワー半導体デバイスの原理
3.2 ダイヤモンドのドーピング技術
3.3 ダイヤモンドの絶縁膜堆積技術
3.4 ダイヤモンドFET作製方法
3.5 ダイヤモンドFETの新構造、選択ドーピング構造
3.6 ダイヤモンドFETのパワー特性
3.7 ダイヤモンドFETの高周波特性
3.8 ダイヤモンドFETのスイッチング特性
3.9 ダイヤモンドFETの長時間ストレス特性
3.10 今後の課題
4.将来の展望
5.まとめ
□ 質疑応答 □
※詳細・お申込みは上記
「お申し込みはこちらから」(遷移先WEBサイト)よりご確認ください。
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