10/27 ＡＬＤ（原子層堆積法）による 高品質膜作製・コーティング技術

山形大学 大学院理工学研究科 教授　廣瀬 文彦　氏

【主な経歴、専門、研究】
1992年3月　東北大学大学院工学研究科修了　博士（工学）
現在　山形大学大学院理工学研究科教授　
専門　半導体薄膜製造、界面制御太陽電池
主な研究　プラズマプロセスを用いた室温原子層堆積法の研究
【WebSite】
https://fhirose.yz.yamagata-u.ac.jp/

　原子層堆積法は、金属酸化物薄膜を複雑形状にもコンフォーマルで形成できることから、LSI製造に利用されています。近年では、LSIのみならず、MEMS、太陽電池、機械部品、PETボトルへのコーティングにも活用が検討されています。
　原子層堆積での高品質膜の達成のため、表面反応を中心とした反応機構の理解と、モニタリング、そして適切な材料選択、プロセス調整の知識が欠かせません。山形大学ではこれまで原子層堆積法のその場観察と低温化研究を進めてまいりましたが、我々の研究成果を題材に、原子層堆積法の特に表面反応を中心とした機構理解の達成を目標とします。さらに最新研究成果として各種酸化物膜の室温形成技術について紹介いたします。 

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