11/16 徹底解説　パワーデバイス

グリーンパワー山本研究所  所長　山本 秀和　氏
【専門】半導体デバイス、半導体結晶

　パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、Siデバイスの性能向上に限界が見えてきており、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。SiC、GaNおよびGa2O3は、物性値自身がパワーデバイスに適しており、試作されたデバイスの特性は、Siデバイスを凌駕します。しかしながら、結晶品質が劣る、信頼性に不安がある、歩留まりが低い、コストが高い等々、量産化には多くの課題があります。これまで、日本はパワーデバイス産業を牽引してきましたが、その地位は徐々に落ちてきています。Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイスの進化の歴史と課題および将来展望について、分かりやすく、かつ詳細に解説します。

１．パワーエレクトロニクス／パワーデバイス産業
　1.1　パワーエレクトロニクスの展開と産業構造
　1.2　パワーデバイスの用途と産業構造

２．パワーデバイスの構造と高性能化
　2.1　パワーデバイスの構造と要求性能
　2.2　パワーデバイスの高性能化

３．Siパワーデバイスの優位性と課題
　3.1　Siパワーデバイスの優位性
　3.2　Siパワーデバイスの課題

４．SiCパワーデバイスの優位性と課題
　4.1　SiCパワーデバイスの優位性
　4.2　SiCパワーデバイスの課題

５．GaNパワーデバイスの優位性と課題
　5.1　GaNパワーデバイスの優位性
　5.2　GaNパワーデバイスの課題

６．Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題
　6.1　Ga2O3パワーデバイスの優位性
　6.2　Ga2O3パワーデバイスの課題

７．パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位
　7.1　繰返される日本の電子デバイス産業における失敗
　7.2　生残りをかけた日本のパワーデバイス産業

　　□ 質疑応答 □

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