イベント名 | 徹底解説 パワーデバイス |
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開催期間 |
2023年11月16日(木)
~ 2023年11月27日(月)
【Live配信】 2023年11月16日(木)10:30~16:30 【アーカイブ配信】 2023年11月27日(月)から配信開始予定 (視聴期間:11/27~12/8) ※会社・自宅にいながら受講可能です※ |
会場名 | 【Live配信(Zoom使用)受講】もしくは【アーカイブ配信受講】 |
会場の住所 | オンライン |
お申し込み期限日 | 2023年11月27日(月)16時 |
お申し込み受付人数 | 30 名様 |
お申し込み |
|
徹底解説 パワーデバイス
~Si、SiC、GaN、Ga2O3パワーデバイスの技術開発動向と将来展望~
各種パワーデバイスの優位性・課題・将来展望とは・・・
・パワーデバイスによる電力変換
・パワーデバイスの構造と高性能化
・ワイドギャップ半導体の高いポテンシャルと開発ターゲット
・パワーデバイス用結晶の特異性
・Siパワーデバイスの優位性と課題
・SiCパワーデバイスの優位性と課題
・GaNパワーデバイスの優位性と課題
・Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題
・日本の電子デバイス産業における失敗事例
・パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位
※初心者の受講でも問題ない
講師 |
グリーンパワー山本研究所 所長 山本 秀和 氏
【専門】半導体デバイス、半導体結晶
セミナー趣旨 |
パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、Siデバイスの性能向上に限界が見えてきており、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。SiC、GaNおよびGa2O3は、物性値自身がパワーデバイスに適しており、試作されたデバイスの特性は、Siデバイスを凌駕します。しかしながら、結晶品質が劣る、信頼性に不安がある、歩留まりが低い、コストが高い等々、量産化には多くの課題があります。これまで、日本はパワーデバイス産業を牽引してきましたが、その地位は徐々に落ちてきています。Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイスの進化の歴史と課題および将来展望について、分かりやすく、かつ詳細に解説します。
セミナー講演内容 |
1.パワーエレクトロニクス/パワーデバイス産業
1.1 パワーエレクトロニクスの展開と産業構造
1.2 パワーデバイスの用途と産業構造
2.パワーデバイスの構造と高性能化
2.1 パワーデバイスの構造と要求性能
2.2 パワーデバイスの高性能化
3.Siパワーデバイスの優位性と課題
3.1 Siパワーデバイスの優位性
3.2 Siパワーデバイスの課題
4.SiCパワーデバイスの優位性と課題
4.1 SiCパワーデバイスの優位性
4.2 SiCパワーデバイスの課題
5.GaNパワーデバイスの優位性と課題
5.1 GaNパワーデバイスの優位性
5.2 GaNパワーデバイスの課題
6.Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題
6.1 Ga2O3パワーデバイスの優位性
6.2 Ga2O3パワーデバイスの課題
7.パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位
7.1 繰返される日本の電子デバイス産業における失敗
7.2 生残りをかけた日本のパワーデバイス産業
□ 質疑応答 □
※詳細・お申込みは上記
「お申し込みはこちらから」(遷移先WEBサイト)よりご確認ください。
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