1/30 ウェットエッチングの基礎と 半導体材料のウェットエッチング加工技術

 １．ウェットエッチングの基礎
　1.1 ウェットエッチング加工が使用されている分野
　1.2 ウェットエッチング加工の方法
　1.3 ウェットエッチングのマクロ的な特徴
　　　（等方性と異方性） 
　1.4 ウェットエッチングのミクロ的な特徴
　　　（エッチング機構） 

２．単結晶シリコンのウェットエッチング加工
　2.1 酸系エッチング液による等方性エッチング
　2.2 アルカリエッチング液による異方性エッチング
　　2.2.1 アルカリ水溶液によるエッチング加工特性
　　2.2.2 アルカリ水溶液中でのエッチングメカニズム
　　2.2.3 エッチング加工特性に及ぼす各種要因
　　　　　（液中金属不純物、電圧、界面活性剤など）
　　2.2.4 エッチングマスクパターンの選択
　　2.2.5 エッチング特性を把握するための実験方法

３．次世代半導体材料のウェットエッチング加工
　3.1 次世代半導体材料に使用されているエッチング方法
　　　（光電気化学エッチング、金属アシストエッチングなど）
　3.2 SiC、GaN、Ｇａ２Ｏ３材料のエッチング加工事例

４．ウェットエッチングプロセスのグリーン化手法
　　（アルカリ水溶液による単結晶シリコンエッチングプロセスでの事例）
　　4.1 エッチング液の低濃度化
　　4.2 液滴エッチングプロセス

　　□質疑応答□