イベント
| イベント名 | 半導体用レジストの基礎、 材料設計、プロセス、評価方法 |
|---|---|
| 開催期間 |
2024年05月28日（火）
～ 2024年06月11日（火）
【Live配信】2024年5月28日（火）10:30～16:30 【アーカイブ配信】2024年6月11日（火）まで受付 (視聴期間：6/11～6/24） ※会社・自宅にいながら受講可能です※ |
| 会場名 | 【Live配信（Zoom使用）受講】もしくは【アーカイブ配信受講】 |
| 会場の住所 | オンライン |
| お申し込み期限日 | 2024年06月11日（火）16時 |
| お申し込み受付人数 | 30 名様 |
| お申し込み |
|
半導体用レジストの基礎、
材料設計、プロセス、評価方法
～感光性レジスト、リソグラフィー工程、レジストの基本原理・特性、材料設計～
■レジスト製造の基礎知識、材料設計指、使用の留意点■
■ノボラック系ポジ型レジスト、化学増幅型レジスト■
■リソグラフィープロセス、レジストプロセス■
受講可能な形式：【Live配信】or【アーカイブ配信】のみ
レジスト、リソグラフィー、ノボラック系ポジ型レジスト、
レジスト現像アナライザ（RDA）、
化学増幅ポジ型レジスト、ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤、i線厚膜レジスト、、、
化学増幅ポジ型レジスト、ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤、i線厚膜レジスト、、、
ノボラック系ポジ型レジスト、
及び化学増幅系3成分 (ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤) ポジ型レジストの
それぞれの化学成分とレジスト特性との関係
それぞれの化学成分とレジスト特性との関係
デバイスメーカーの視点からレジスト評価法の具体的な手法も解説
レジストの材料、プロセスに携わる方々は是非
【得られる知識】
・レジストを製造するための基礎知識、材料設計指針
・レジストを使用する際の留意事項
・リソグラフィープロセスについて
・素材メーカー、レジストメーカーとしてのデバイスメーカー対応能力
・レジスト材料（ノボラック系ポジ型レジスト、化学増幅型レジスト）
・レジストプロセスについて
・レジストを使用する際の留意事項
・リソグラフィープロセスについて
・素材メーカー、レジストメーカーとしてのデバイスメーカー対応能力
・レジスト材料（ノボラック系ポジ型レジスト、化学増幅型レジスト）
・レジストプロセスについて
【対象】
・レジスト材料・プロセスの研究や開発に関わる方
・半導体、ディスプレイ、MEMSなどのデバイス開発、製造、販売に携わる方
・レジストメーカー、およびレジストメーカーに原料を提供する素材メーカーの方
・半導体、ディスプレイ、MEMSなどのデバイス開発、製造、販売に携わる方
・レジストメーカー、およびレジストメーカーに原料を提供する素材メーカーの方
キーワード：レジスト、リソグラフィー、ノボラック系ポジ型レジスト、レジスト現像アナライザ（RDA）、化学増幅ポジ型レジスト、ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤、i線厚膜レジスト
| 講師 |
大阪公立大学 学長特別補佐
大学院工学研究科 物質化学生命系専攻 化学バイオ工学分野 高分子化学研究グループ
教授 博士(工学) 堀邊 英夫 氏
【講師紹介】
| セミナー趣旨 |
半導体用レジスト技術の基礎から解説し、特にレジスト材料 (感光性樹脂) ・プロセス、ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分 (ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤) ポジ型レジストのそれぞれの化学成分とレジスト特性との関係について解説します。
半導体、LCD等の電子デバイス製造では、成膜、パターン作製 (レジスト塗布、露光、現像) 、エッチング、レジスト剥離、洗浄等のプロセスを複数回繰り返すことにより、基板上に微細素子がパターンニングされたトランジスタが形成される。これらの工程はリソグラフィー工程と呼ばれ、おおよそ20回から30回繰り返されることになる。
本講演では、特にレジスト材料 (感光性樹脂) ・プロセスについて解説するとともに、ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分 (ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤) ポジ型レジストのそれぞれの化学成分とレジスト特性との関係について解説する。また、元デバイスメーカーにいた者の視線で、レジストメーカーに原料を提供する素材メーカーにおけるレジスト評価法の具体的な手法について丁寧に解説したい。
| セミナー講演内容 |
※詳細・お申込みは上記
「お申し込みはこちらから」（遷移先WEBサイト）よりご確認ください。
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