6/16 CMP技術とその最適なプロセスを実現するための実践的総合知識

 　CMPがデバイスの製造工程に用いられるようになって、すでに30年以上が経過した。当初はゲテモノ扱いされていた CMPも今やなくてはならないキープロセスとなっている。半導体デバイス製造における様々なCMP工程の特徴を紹介し、それに用いられる装置、スラリー、パッドの詳細を解説する。各種基板研磨や新たな応用についても解説する。さらに、CMPによる材料除去のメカニズムについて様々なモデルを紹介し、そこからパッドやスラリーの開発のヒントを提示する。

 １．CMP装置
　1.1 CMP装置の構成
　1.2 ヘッド構造
　1.3 終点検出技術
　1.4 APC
　1.5 洗浄

２．CMPによる平坦化
　2.1 CMPによる平坦化工程の分類
　2.2 平坦化メカニズム

３．CMP消耗材料
　3.1 各種スラリーの基礎
　3.2 砥粒の変遷
　3.3 添加剤の役割
　3.4 スラリーの評価方法
　3.5 研磨パッドの基礎
　3.6 研磨パッドの評価方法
　3.7 コンディショナーの役割

４．CMPの応用
　4.1 最新配線構造とCMPの詳細
　4.2 最新のトランジスタ構造とCMP
　4.3 3DNANDにおけるCMP
　4.4 ウエハ接合技術とCMP
　4.5 各種基板CMP

５．CMPの材料除去メカニズム
　5.1 研磨メカニズムモデルの歴史
　5.2 新しいモデル～Feret径モデル
　5.3 Feret径モデルの数値検証
　5.4 Feret径モデルに基づく開発のヒント
　5.5 研磨対象別材料除去メカニズム

まとめ

□質疑応答□

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