イベント

6/16 CMP技術とその最適なプロセスを実現するための実践的総合知識

電気・電子・半導体・通信 / 2023年04月27日 / 産業機械機器電子・半導体

イベント名	CMP技術とその最適なプロセスを実現するための実践的総合知識
開催期間	2023年06月16日（金）～ 2023年06月26日（月）【Live配信】 2023年6月16日（金）10:30～16:30 【アーカイブ受講】 2023年6月26日（月）から配信開始（視聴期間：2023年6月26日（月）～7月7日（金）） ※会社・自宅にいながら受講可能です※
会場名	【Live配信（Zoom使用）受講】もしくは【アーカイブ配信受講】
会場の住所	オンライン
お申し込み期限日	2023年06月26日（月）16時
お申し込み受付人数	30 名様
お申し込み

CMP技術と
その最適なプロセスを実現するための
実践的総合知識

～装置、スラリー・研磨パッド等の消耗材料の技術、応用プロセス、研磨メカニズム～

■装置、スラリー技術、パッド技術とその材料・開発・プロセス評価■
■デバイス応用事例、様々な基板研磨技術■
■CMP材料除去メカニズムの変遷と最新モデル■

受講可能な形式：【Live配信】or【アーカイブ配信】のみ

CMP及び周辺の技術・材料・装置に携わる方々は是非
CMP工程の各種メカニズムの解明とスラリー、パッド、コンディショナー、、、消耗材の開発・評価のヒントを提示
研磨精度・デバイス表面平坦度の向上とスラリー・パッド等部材の低コスト化の両立を目指して
最新配線構造、最新のトランジスタ構造、3DNAND、ウエハ接合、各種基板へのCMP応用技術
材料の研磨と除去、構造形成するための加工技術としての技術を解説
半導体等のデバイス製造において今やなくてはならないキープロセスの基礎と全貌

【得られる知識】

■CMPに関わるあらゆる基礎知識
　・装置技術、スラリー技術、パッド技術、コンディショナー技術
　・材料・プロセス評価技術
　・デバイス応用事例、様々な基板研磨技術
■CMP材料除去メカニズムの変遷と最新モデル

【キーワード】

CMP研磨パッド,スラリー,EPD,研磨ヘッド,FinFET,CuCMP,シリコンウエハ,サファイア,SiC

講師

(株)ISTL　代表取締役社長　博士(工学)　礒部晶　氏
　【略歴】
　1984年－2002年　NECにてLSI多層配線プロセス開発
　2002年－2006年　東京精密(株)にて執行役員CMPグループリーダー
　2006年－2013年　ニッタハース(株)にて研究開発GM
　2013年－2015年　(株)ディスコにて新規事業開発
　2015年－現在　　 (株)ISTL

セミナー趣旨

　CMPがデバイスの製造工程に用いられるようになって、すでに30年以上が経過した。当初はゲテモノ扱いされていた CMPも今やなくてはならないキープロセスとなっている。半導体デバイス製造における様々なCMP工程の特徴を紹介し、それに用いられる装置、スラリー、パッドの詳細を解説する。各種基板研磨や新たな応用についても解説する。さらに、CMPによる材料除去のメカニズムについて様々なモデルを紹介し、そこからパッドやスラリーの開発のヒントを提示する。

セミナー講演内容

１．CMP装置
　1.1 CMP装置の構成
　1.2 ヘッド構造
　1.3 終点検出技術
　1.4 APC
　1.5 洗浄

２．CMPによる平坦化
　2.1 CMPによる平坦化工程の分類
　2.2 平坦化メカニズム

３．CMP消耗材料
　3.1 各種スラリーの基礎
　3.2 砥粒の変遷
　3.3 添加剤の役割
　3.4 スラリーの評価方法
　3.5 研磨パッドの基礎
　3.6 研磨パッドの評価方法
　3.7 コンディショナーの役割

４．CMPの応用
　4.1 最新配線構造とCMPの詳細
　4.2 最新のトランジスタ構造とCMP
　4.3 3DNANDにおけるCMP
　4.4 ウエハ接合技術とCMP
　4.5 各種基板CMP

５．CMPの材料除去メカニズム
　5.1 研磨メカニズムモデルの歴史
　5.2 新しいモデル～Feret径モデル
　5.3 Feret径モデルの数値検証
　5.4 Feret径モデルに基づく開発のヒント
　5.5 研磨対象別材料除去メカニズム

まとめ

□質疑応答□

※詳細・お申込みは上記

「お申し込みはこちらから」（遷移先WEBサイト）よりご確認ください。

このページに関するお問い合わせ

サイト内検索

ページカテゴリ一覧

新着ページ

月別ページ