6/28 ＜半導体加工技術での高機能薄膜の形成へ＞ ＡＬＤ（原子層堆積法）技術の基礎・入門と応用展開

奈良先端科学技術大学院大学 教授　浦岡 行治　氏

＜略歴＞
1985年　松下電器産業（パナソニック）　半導体研究センター
1994年　松下電器産業（パナソニック）液晶開発センター
1999年　奈良先端科学技術大学院大学　准教授
2009年　奈良先端科学技術大学院大学　教授
2023年　奈良先端科学技術大学院大学　マテリアル研究プラットフォームセンター長
応用物理学会フェロー

＜WebSite＞
https://mswebs.naist.jp/LABs/uraoka/PUBLIC/top/top.html

　AIや5GなどIoT技術の進歩を支えている半導体加工技術において、高機能な薄膜を形成することは、非常に重要である。
　薄膜形成技術については、古くからいろいろな手法が開発され、LSI、ディスプレイ、太陽電池などのエレクトロニクスの分野で広く活用されてきた。
　本セミナーでは、近年、特に注目を浴びているALD（原子層堆積）技術やALE（原子層エッチング）技術について、その基礎と応用について概説する。特に、堆積やエッチングの原理や材料について詳しく紹介する。また、ALDについては、LSI、薄膜トランジスタ、パワーデバイス、太陽電池に応用した時の特長や課題についても紹介する。

 １．薄膜形成技術
　1.1　薄膜作製/加工の基礎
　1.2　薄膜の評価手法
　　1.2.1　電気的評価
　　1.2.2　化学的分析手法
　　1.2.3　光学的評価手法

２．ALD技術の基礎
　2.1　ALD技術の原理
　2.2　ALD薄膜の特長
　2.3　ALD技術の歴史
　2.4　ALD装置の仕組み
　2.5　ALD技術の材料

３．ALD技術の応用
　3.1　パワーデバイスへの応用
　3.2　酸化物薄膜トランジスへの応用
　3.3　MOS LSIへの応用
　3.4　太陽電池への応用

４．ALE技術の基礎
　4.1　ALEの歴史
　4.2　ALEの原理

５．ALE技術の応用事例
　5.1　シリコン、窒化ガリウム等半導体材料への応用
　5.2　シリコン酸化膜、窒化膜等絶縁膜への応用
　5.3　Co等金属膜への応用

６．ALD/ALE技術の課題と展望

　　□質疑応答□

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