イベント
| イベント名 | 先端半導体パッケージに対応する 材料・実装技術の開発動向 |
|---|---|
| 開催期間 |
2025年01月14日（火）
13:00～16:40 ※会社・自宅にいながら受講可能です※ |
| 会場名 | Live配信セミナー（リアルタイム配信） |
| 会場の住所 | オンライン |
| お申し込み期限日 | 2025年01月14日（火）13時 |
| お申し込み受付人数 | 30 名様 |
| お申し込み |
|
先端半導体パッケージに対応する
材料・実装技術の開発動向
～高速高周波対応・ハイブリッドボンディング・サブストレート
インターポーザー・封止材料・感光材料・基板材料技術～
受講可能な形式：【Live配信】
●高周波高速伝送基板向けの低誘電材料、平滑導体との接着・接合技術
●先端パッケージ向け：ハイブリッドボンディング、サブストレート、インターポーザ
封止材料、感光材、基板材料など、開発事例に基づく最新の技術動向を解説します。
封止材料、感光材、基板材料など、開発事例に基づく最新の技術動向を解説します。
| 講師 |
第1部 (13:00～15:00)
「高周波高速対応／先端半導体3Dパッケージに向けた材料と実装技術動向」
講師：(株)ダイセル スマートSBU グループリーダー 博士(工学) 八甫谷 明彦 氏
<講師紹介>
(株)東芝にてノートPC、HDD、モバイル機器、DVD、TV、LED照明、車載などの実装設計、開発、半導体後工程、モジュールの開発、接合技術の事業に従事。現在、(株)ダイセルで電子材料、加工品の事業戦略企画、5G/6G関連の低誘電材料、及び半導体先端後工程材料の開発に従事。
・エレクトロニクス実装学会 理事
・よこはま高度実装技術コンソーシアム 理事
・(一社)日本実装技術振興協会 理事
第2部 (15:10～16:40)
「先端半導体パッケージ向け封止材料・関連材料の開発動向」
講師：住友ベークライト(株) 情報通信材料研究所 主査 山下 航平 氏
<講師紹介>
2016年4月～2018年3月：半導体基板材料の開発を担当
2018年4月～現在：半導体封止材(EME)の開発を担当
| プログラム |
第1部『高周波高速対応／先端半導体3Dパッケージに向けた材料と実装技術動向』
高周波高速伝送における伝送損失は、主に抵抗損失と誘電損失を下げることが必要であり、抵抗損失は導体の直流抵抗、表皮効果、表面粗さ、誘電損失は絶縁材料の誘電体の比誘電率と誘電正接によって決まる。すなわち、高周波ほど導体と絶縁材料の界面は平滑で、かつ比誘電率と誘電正接はより小さいことが求められる。しかし、比誘電率、誘電正接が低い材料ほど極性が低く、導体との接着、接合が難しい課題がある。
また、微細化によるムーアの法則が限界を迎える中で、3Dパッケージ、チップレットなどの技術が注目され、先端パッケージの材料や接合技術については、更なる高機能化や多機能化を追求するために重要性が増している。
ここでは、高周波高速、および先端半導体3Dパッケージにむけた材料技術、及び実装技術について、基礎と応用、および最新情報も含めて分かり易く解説する。
1. 高周波高速対応技術の基礎と動向
2. プリント配線板の低誘電材料技術
2.1 高周波プリント配線板に求められる要求特性
2.2 低誘電材料技術
3. 低誘電材料／平滑導体との接着・接合技術
3.1 接着・接合技術の基礎
3.2 貼り合わせ技術
3.3 めっき技術
4. 半導体パッケージングの基礎と動向
4.1 従来の半導体パッケージング
4.2 先端分野の半導体パッケージング
5. フリップチップボンディング
5.1 フリップチップボンディングの基礎
5.2 フリップチップボンディングの応用
6. ハイブリッドボンディング
6.1 ハイブリッドボンディングの基礎
6.2 ハイブリッドボンディングの応用
7. サブストレート、インターポーザー技術
7.1 サブストレート、インターポーザーの基礎
7.2 サブストレート、インターポーザーの応用
7.3 ガラスコア
□ 質疑応答 □
第2部『先端半導体パッケージ向け封止材料・関連材料の開発動向』
本講座では、先端半導体パッケージを①WLP/PLPおよびチップレット、②SiP/AiPの２つのカテゴリーに分類し、半導体封止材を中心にそれぞれのパッケージに求められる機能や開発状況、及び今後の課題について報告する。
1. 半導体封止用樹脂の基礎
1.1 半導体封止材とは？
1.2 半導体封止材の構成
1.3 半導体封止材の製造プロセス
1.4 半導体封止材の使われ方
1.5 半導体封止材に使われる原材料
2. 先端半導体向け材料の開発動向
2.1 WLP/PLP向け封止材の課題と対策
2.2 WLP/PLP向け感光材の課題と対策
2.3 SiP/AiP向け封止材の課題と対策
2.4 SiP/AiP向け基板材の課題と対策
□ 質疑応答 □
【得られる知識】
・半導体製造の後工程で使用される封止材料に関する基礎的な知識および、先端半導体パッケージング向け封止材、
感光材、基板材料に求められる機能、開発状況、今後の課題等についての知識が得られる。
高周波高速伝送における伝送損失は、主に抵抗損失と誘電損失を下げることが必要であり、抵抗損失は導体の直流抵抗、表皮効果、表面粗さ、誘電損失は絶縁材料の誘電体の比誘電率と誘電正接によって決まる。すなわち、高周波ほど導体と絶縁材料の界面は平滑で、かつ比誘電率と誘電正接はより小さいことが求められる。しかし、比誘電率、誘電正接が低い材料ほど極性が低く、導体との接着、接合が難しい課題がある。
また、微細化によるムーアの法則が限界を迎える中で、3Dパッケージ、チップレットなどの技術が注目され、先端パッケージの材料や接合技術については、更なる高機能化や多機能化を追求するために重要性が増している。
ここでは、高周波高速、および先端半導体3Dパッケージにむけた材料技術、及び実装技術について、基礎と応用、および最新情報も含めて分かり易く解説する。
1. 高周波高速対応技術の基礎と動向
2. プリント配線板の低誘電材料技術
2.1 高周波プリント配線板に求められる要求特性
2.2 低誘電材料技術
3. 低誘電材料／平滑導体との接着・接合技術
3.1 接着・接合技術の基礎
3.2 貼り合わせ技術
3.3 めっき技術
4. 半導体パッケージングの基礎と動向
4.1 従来の半導体パッケージング
4.2 先端分野の半導体パッケージング
5. フリップチップボンディング
5.1 フリップチップボンディングの基礎
5.2 フリップチップボンディングの応用
6. ハイブリッドボンディング
6.1 ハイブリッドボンディングの基礎
6.2 ハイブリッドボンディングの応用
7. サブストレート、インターポーザー技術
7.1 サブストレート、インターポーザーの基礎
7.2 サブストレート、インターポーザーの応用
7.3 ガラスコア
□ 質疑応答 □
第2部『先端半導体パッケージ向け封止材料・関連材料の開発動向』
本講座では、先端半導体パッケージを①WLP/PLPおよびチップレット、②SiP/AiPの２つのカテゴリーに分類し、半導体封止材を中心にそれぞれのパッケージに求められる機能や開発状況、及び今後の課題について報告する。
1. 半導体封止用樹脂の基礎
1.1 半導体封止材とは？
1.2 半導体封止材の構成
1.3 半導体封止材の製造プロセス
1.4 半導体封止材の使われ方
1.5 半導体封止材に使われる原材料
2. 先端半導体向け材料の開発動向
2.1 WLP/PLP向け封止材の課題と対策
2.2 WLP/PLP向け感光材の課題と対策
2.3 SiP/AiP向け封止材の課題と対策
2.4 SiP/AiP向け基板材の課題と対策
□ 質疑応答 □
【得られる知識】
・半導体製造の後工程で使用される封止材料に関する基礎的な知識および、先端半導体パッケージング向け封止材、
感光材、基板材料に求められる機能、開発状況、今後の課題等についての知識が得られる。
※詳細・お申込みは上記
「お申し込みはこちらから」（遷移先WEBサイト）よりご確認ください。
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