3/31 半導体デバイス製造工程の基礎

1．半導体デバイスの基礎と最新動向
　1.1 半導体の市場動向と業界構造
　1.2 半導体の応用分野
　1.3 ムーアの法則とは？ 
　1.4 トランジスタの基礎
　1.5 先端トランジスタ構造
　1.6 メモリの基礎と3DNAND
　1.7 前工程と後工程

2．前工程
　2.1 形作りの基本
　2.2 半導体の基本モジュール
　　2.2.1 STI
　　2.2.2 トランジスタ
　　2.2.3 配線
　2.3 個別プロセスの詳細
　　2.3.1 酸化
　　2.3.2 成膜
　　2.3.3 リソグラフィー
　　2.3.4 エッチング
　　2.3.5 CMP
　　2.3.6 洗浄

3．後工程
　3.1 パッケージの種類と構造
　　3.1.1 リードフレームを用いるパッケージ
　　3.1.2 パッケージ基板を用いるパッケージ
　　3.1.3 ウエハレベルパッケージ
　　3.1.4 SIP
　3.2 個別プロセスの詳細
　　3.2.1 裏面研削
　　3.2.2 ダイシング
　　3.2.3 ダイボンディング
　　3.2.4 ワイヤボンディング
　　3.2.5 モールディング
　　3.2.6 バンプ形成
　3.3 最新パッケージ技術
　　3.3.1 FOWLP
　　3.3.2 CoWoS
　　3.3.3 チップレット、3DICパッケージ

質疑応答