| イベント名 | CMPの基礎と最適なプロセスを実現する実践的総合知識 |
|---|---|
| 開催期間 |
2026年06月24日（水）
～ 2026年07月10日（金）
【ライブ受講】 2026年6月24日（水） 10:30～16:30 【アーカイブ受講】 2026年7月10日（金）まで受付 （配信期間：7/10～7/24） ※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。 ※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。 ■配布資料 PDFデータ(印刷可・編集不可) ※開催2日前を目安に、主催会社様HPのS&T会員マイページよりダウンロード可となります。 ※アーカイブ配信受講の場合は、配信開始日からダウンロード可となります。 |
| 会場名 | 【ライブ配信（Zoom使用）受講】もしくは【アーカイブ配信受講】 |
| 会場の住所 | オンライン |
| お申し込み期限日 | 2026年07月10日（金）10時 |
| お申し込み受付人数 | 30 名様 |
| お申し込み |
|
CMPの基礎と最適なプロセスを実現する実践的総合知識
～装置、スラリー・研磨パッド等の消耗材料の技術、応用プロセス、研磨メカニズム、最新CMP技術～
受講料（税込）：55,000円
＼お得な割引キャンペーン実施中！／
詳細・お申し込みは「お申し込みはこちらから」よりご確認ください。
【オンライン配信】
ライブ配信 ►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください）
アーカイブ配信 ►受講方法・視聴環境確認（申込み前に必ずご確認ください）
セミナー視聴はマイページから
お申し込み後、マイページの「セミナー資料ダウンロード／映像視聴ページ」に
お申込み済みのセミナー一覧が表示されますので、該当セミナーをクリックしてください。
（アーカイブ配信は、配信日に表示されます。）
CMP工程の各種メカニズムの解明とスラリー、パッド、コンディショナー、、、消耗材の開発・評価のヒントを提示
研磨精度・デバイス表面平坦度の向上とスラリー・パッド等部材の低コスト化の両立を目指して
最新配線構造、最新のトランジスタ構造、3DNAND、ウエハ接合、各種基板へのCMP応用技術
材料の研磨と除去、構造形成するための加工技術としての技術を解説
CMP装置、材料、プロセスの基礎解説、最新デバイスとCMP技術の応用、平坦化と材料除去のメカニズム
講師
株式会社ISTL 代表取締役社長 博士（工学） 礒部 晶 氏
元日本電気、元ニッタハース、元ディスコ
■略歴
1984年－2002年 ＮＥＣにてＬＳＩ多層配線プロセス開発
2002年－2006年 東京精密(株)にて執行役員ＣＭＰグループリーダー
2006年－2013年 ニッタハースにて研究開発ＧＭ
2013年－2015年 (株)ディスコにて新規事業開発
2015- (株)ＩＳＴＬ
セミナー趣旨
CMPがデバイスの製造工程に用いられるようになって、すでに30年以上が経過した。当初はゲテモノ扱いされていた CMPも今やなくてはならないキープロセスとなっている。半導体デバイス製造における様々なCMP工程の特徴を紹介し、それに用いられる装置、スラリー、パッドの詳細を解説する。各種基板研磨や新たな応用についても解説する。さらに、CMPによる材料除去のメカニズムについて様々なモデルを紹介し、そこからパッドやスラリーの開発のヒントを提示する。
セミナー講演内容
1．CMP装置
1.1 CMP装置の構成
1.2 ヘッド構造
1.3 終点検出技術
1.4 APC
1.5 洗浄
2．CMPによる平坦化
2.1 CMPによる平坦化工程の分類
2.2 平坦化メカニズム
3．CMP消耗材料
3.1 各種スラリーの基礎
3.2 砥粒の変遷
3.3 添加剤の役割
3.4 スラリーの評価方法
3.5 研磨パッドの基礎
3.6 研磨パッドの評価方法
3.7 コンディショナーの役割
4．CMPの応用
4.1 最新配線構造とCMPの詳細
4.2 最新のトランジスタ構造とCMP
4.3 3DNANDにおけるCMP
4.4 ウエハ接合技術とCMP
4.5 各種基板CMP
5．CMPの材料除去メカニズム
5.1 研磨メカニズムモデルの歴史
5.2 新しいモデル～Feret径モデル
5.3 Feret径モデルの数値検証
5.4 Feret径モデルに基づく開発のヒント
5.5 研磨対象別材料除去メカニズム
まとめ
質疑応答
※詳細・お申込みは上記
「お申し込みはこちらから」（遷移先WEBサイト）よりご確認ください。
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