9/29 まで申込み受付中 【オンデマンド配信】＜半導体デバイス向けプラズマ装置による高品質成膜へ＞プラズマＣＶＤ（化学気相堆積）装置による高品質薄膜の成膜技術、および量産化対応

＜半導体デバイス向けプラズマ装置による高品質成膜へ＞プラズマＣＶＤ（化学気相堆積）装置による高品質薄膜の成膜技術、および量産化対応

■装置メーカーの立場から、プラズマCVD装置の技術／課題と対策を解説■

講師

SPPテクノロジーズ(株)
製造部 次長　兼　生産管理グループ長　兼　マーケティング部 マネジャー　金尾 寛人　氏
（※講演当時のご所属です。）

【経歴・研究内容・専門・活動】
1989年3月　名古屋工業大学 工学部 第一部 電気情報工学科を卒業．
1989年4月　住友金属工業(株)に入社．
Si基板上GaAs膜のヘテロエピタキシー成膜技術の研究開発(1年)や半導体デバイス向けECRプラズマ装置による成膜、エッチング技術の研究開発及び商品開発(10年)
2000年4月　住友精密工業(株)に入社(派遣、2002年3月転籍、2011年12月にSPPテクノロジーズに出向)
MEMSや光デバイス向けプラズマ装置による成膜、エッチング技術の研究開発及び商品開発(3年半)
装置全般の技術営業、マーケティング（現在）
【WebSite】
https://www.spp-technologies.co.jp/

セミナー趣旨

当社は、1989年から「研究開発用半導体一貫製造システム」の開発を開始して、装置メーカーとして、30年以上の実績・経験があります。この講演では、プラズマCVD装置に関して、開発してきた技術や課題と対策を中心にご紹介いたします。

セミナー講演内容

１．プラズマCVD装置の基本構造
　1.1 プラズマCVD装置の構成
　1.2 反応チャンバーの基本構成

２．プラズマCVD装置の用途
　2.1 適用アプリケーション

３．プラズマCVD装置のプロセス性能
　3.1 SiH4系SiO2膜
　3.2 SiH4系SiN膜
　3.3 SiH4系SiON膜
　3.4 SiH4系a-Si膜
　3.5 SiH4系SiC膜
　3.6 TEOS系SiO2膜
　3.7 液体ソース系SiN膜

４．開発用装置と量産用装置
　4.1 プラットフォーム

５．プラズマCVD装置の課題と対策
　5.1 高レート化
　5.2 プロセスの再現性
　5.3 低パーティクル
　5.4 チャンバークリーニング
　5.5 ウェーハ温度の低温化
　5.6 ウェーハ大口径化　　など

■Ｑ＆Ａ■
　このセミナーの内容に関する質問に限り、講師とQ&Aをすることができます。
　具体的には配布資料に講師のメールアドレスを記載していますので、講師へ直接のメールにてご質問いただけます。
　（ご質問の内容や時期によっては、ご回答できない場合がございますのでご了承下さい。）

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