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EUVリソグラフィ技術の基礎とレジスト材料の開発動向

～EUVリソグラフィの各要素技術、メタルレジスト・ブロック共重合体等の微細加工材料～

講師

(国研)量子科学技術研究開発機構 高崎量子技術基盤研究所
先端機能材料研究部 プロジェクトリーダー（上席研究員）　山本 洋揮 氏

[その他 肩書・活動等]
大阪大学産業科学研究所 招聘教授
群馬大学理工学府 客員教授

セミナー趣旨

コンピュータ性能の更なる向上が要求されている半導体分野において、EUVリソグラフィが実現された。半導体微細加工技術であるEUVリソグラフィは、今後デジタル社会の構築において3次元微細加工技術と並んで極めて重要である。今後も更なる微細加工技術が要求されており、High-NAEUVリソグラフィなどをはじめ、次世代リソグラフィ技術が検討されている。
　本セミナーでは、EUVリソグラフィ技術を中心に、近年活発に研究開発がなされている次世代EUVリソグラフィ技術におけるそれぞれの原理、技術動向、他のリソグラフィ技術と比較した際の優位点をはじめ、実用化・普及の可能性、その微細加工材料などに関する最新動向について概説するとともに、我々の最新の成果を解説する。

セミナー講演内容

１．はじめに
　１.1 リソグラフィ技術の変遷
　１.2 EUVリソグラフィの現状と課題
　１.3 EUVリソグラフィレジスト評価システム
　１.4 EUVリソグラフィ技術の動向

２．EUV/EBリソグラフィ技術の基礎とレジスト材料の開発例
　2.1 EUVリソグラフィの基礎
　2.2 EUVリソグラフィの現状と課題/電子ビームリソグラフィの位置づけ
　2.3 EUV/EBレジスト
　　2.3.1 EUV/EBレジストの種類
　　2.3.2 EUV/EB化学増幅型レジストの酸発生機構
　　2.3.3 ラインエッジラフネス（LER）の原因の解明
　　2.3.4 反応機構に基づいたEUV/EBリソグラフィ用単一成分化学増幅型レジスト
　　2.3.5 EUVとEBレジスト設計指針との違い
　　2.3.6 EUVリソグラフィ用レジスト化学増幅型レジスト材料の要求特性と問題点

３． メタルレジスト材料の開発動向
　3.1 EUVリソグラフィ用メタルレジストの概要
　3.2 EUVメタルレジスト開発例
　3.3 ドライレジスト
　3.4 メタルレジストの性能評価
　　3.4.1 放射線による金属ナノ粒子の形成メカニズムに基づいた有機無機ハイブリッドパターン形成
　　3.4.2 メタル化合物の添加によるEUVレジストの高感度化
　　3.4.3 メタルレジスト材料の性能評価
　　3.4.4 無機レジストの性能評価
　3.5 次世代EUVリソグラフィ（High-NA、Hyper NA、EUV-FEL、Beyond EUV）の技術動向と今後の展望

４．ブロック共重合体を用いた自己組織化リソグラフィ技術の基礎と動向
　4.1 ブロック共重合体の基礎
　4.2 電子線誘起反応によるブロック共重合体のラメラ配向制御
　4.3 新規ブロック共重合体の合成と評価
　4.4 ブロック共重合体のメタライゼーション

５．おわりに

□ 質疑応答 □

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