3/29 ＡＬＤ（原子層堆積法）の基礎と プロセス最適化および最新技術動向

 　最先端半導体集積回路の作製に必須となっているALD（Atomic Layer Deposition、原子層堆積法）は、数ナノメートル程度の極薄膜作製手法として膜厚の制御性や再現性に優れ、３次元立体構造への均一製膜なども可能であるという特徴を持っています。そのため、ULSIゲート酸化膜形成、メモリキャパシタ形成などに応用展開されている技術です。しかし、そのプロセスは原料の供給、パージ、反応性ガスの供給、パージなどからなり、各段階での条件設定は、これまでの類似手法であるCVD（Chemical Vapor Deposition、気相薄膜形成法）と比較してかなり複雑であり、速度論の基礎的知識なしには容易に最適化を達成できません。近年、AIによるプロセス最適化なども試みられていますが、AIによる最適化の原理を理解できなければ、さらなる発展も見込めません。
　このため、本講座では、まずALDの基礎知識としてCVDの速度論から説明を行い、CVD/ALDプロセスの開発・解析能力を養うことを目標とします。また、ALDプロセスの理想と実際について、原理およびメカニズムから詳しく解説を行い、新たにALDプロセス開発・製品応用に関わる方の一助となるよう配慮した講義を行います。

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