| イベント名 | ＳｉＣパワー半導体の最新動向と ＳｉＣ単結晶ウェハ製造の技術動向 |
|---|---|
| 開催期間 |
2024年05月27日（月）
～ 2024年06月10日（月）
【Live配信】2024年5月27日（月）10:30～16:30 【アーカイブ配信】2024年6月10日（月）から配信開始 【視聴期間：6/10(月)～6/21(金) ※会社・自宅にいながら受講可能です※ |
| 会場名 | 【Live配信（Zoom使用）受講】もしくは【アーカイブ配信受講】 |
| 会場の住所 | オンライン |
| お申し込み期限日 | 2024年06月10日（月）16時 |
| お申し込み受付人数 | 30 名様 |
| お申し込み |
|
ＳｉＣパワー半導体の最新動向と
ＳｉＣ単結晶ウェハ製造の技術動向
■SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開■
■SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題■
【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク
★ SiC単結晶ウェハのさらなる高品質化・低コスト化へ！
★ SiCパワー半導体の現状・動向、製造プロセス技術まで俯瞰する。
SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得できます。
| 講師 |
関西学院大学 工学部 教授 大谷 昇 氏
＜主なご経歴・研究内容・専門・ご活動・受賞など＞
1960年、東京都生まれ。1984年に東京工業大学修士課程物理学専攻修了。同年、新日本製鐵（株）入社。同社中央研究本部第一技術研究所配属。その後、エレクトロニクス研究所を経て、先端技術研究所に勤務。一貫して、半導体材料・デバイスの研究開発に従事。特に、パワーデバイス用シリコンカーバイド（SiC）半導体の研究開発・事業化に注力。2008年に関西学院大学教授に就任。その間、1991～1993年英国Imperial College London博士課程在学。1993年同課程修了（Ph.D.取得）。
1997年日本金属学会技術開発賞受賞。2007年日経BP技術賞受賞。2021年応用物理学会フェロー表彰受賞。
| セミナー趣旨 |
現状150mm口径のSiC単結晶ウェハが市販されており、ここ数年の間には200mm口径ウェハの製造・量産が開始されることがアナウンスされている。これを機にxEV向けのSiCパワーデバイスの本格量産が始まるとされる。パワー半導体向けには、その電子物性の優位性から4H-SiC単結晶ウェハが使用される。市販の4H-SiC単結晶ウェハを用いて、既に、高速・低損失のSiCショットキー障壁ダイオード（SBD）、金属–酸化膜–半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）が製造・販売され、鉄道車両や産業機器に搭載されているが、SiCパワーデバイスのさらなる高性能化・高信頼性化、そして低コスト化には、そこで使用されているSiC単結晶ウェハのさらなる高品質化・低コスト化が必要不可欠である。
本講演では、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論する。
| セミナー講演内容 |
※詳細・お申込みは上記
「お申し込みはこちらから」（遷移先WEBサイト）よりご確認ください。
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