5/27 ＳｉＣパワー半導体の最新動向と ＳｉＣ単結晶ウェハ製造の技術動向

※時間配分は目安です。進行状況により前後することがございます。

■SiCパワー半導体開発の現状　【10:30～12:00】
１．SiCパワー半導体開発の背景
　1.1 環境・エネルギー技術としての位置付け
　1.2 SiCパワー半導体開発がもたらすインパクト

２．SiCパワー半導体開発の歴史
　2.1 SiCパワー半導体開発の黎明期
　2.2 SiC単結晶成長とエピタキシャル成長のブレイクスルー

３．SiCパワー半導体開発の現状と動向
　3.1 SiCパワー半導体の市場
　3.2 SiCパワー半導体関連の学会・業界動向
　3.3 SiCパワー半導体関連の最近のニュース

４．SiC単結晶の物性的特徴と各種デバイス応用
　4.1 SiC単結晶とは？
　4.2 SiC単結晶の物性と特長
　4.3 SiC単結晶の各種デバイス応用

５．SiCパワーデバイスの最近の進展
　5.1 SiCパワーデバイスの特長
　5.2 SiCパワーデバイス（SBD、MOSFET）の現状
　5.3 SiCパワーデバイスのシステム応用

昼食休憩　【12:00～13:00】　

■SiC単結晶ウェハ製造プロセスの現状と展望　【13:00～14:30】
６．SiC単結晶のバルク結晶成長
　6.1 SiC単結晶成長の熱力学
　6.2 昇華再結晶法
　6.3 溶液成長法
　6.4 高温CVD法（ガス法）
　6.5 その他成長法

７．SiC単結晶ウェハの加工技術
　7.1 SiC単結晶ウェハの加工プロセス
　7.2 SiC単結晶の切断技術
　7.3 SiC単結晶ウェハの研磨技術

８．SiC単結晶ウェハ上へのSiCエピタキシャル薄膜成長技術
　8.1 SiCエピタキシャル薄膜成長技術の概要
　8.2 SiCエピタキシャル薄膜成長装置の動向

【14:30～14:40】　休憩

■SiC単結晶ウェハ製造の技術課題　【14:40～16:10】
９．SiC単結晶のポリタイプ制御
　9.1 SiC単結晶のポリタイプ現象
　9.2 各種ポリタイプの特性
　9.3 SiC単結晶成長におけるポリタイプ制御

１０． SiC単結晶中の拡張欠陥
　10.1 各種拡張欠陥の分類
　10.2 拡張欠陥の評価法

１１．SiC単結晶のウェハ加工
　11.1 ウェハ加工の技術課題
　11.2 ウェハ加工技術の現状

１２．SiCエピタキシャル薄膜成長
　12.1 エピタキシャル薄膜成長の技術課題
　12.2 エピタキシャル薄膜成長技術の現状

１３．SiC単結晶ウェハの電気特性制御
　13.1 低抵抗率SiC単結晶ウェハの必要性
　13.2 低抵抗率SiC単結晶ウェハの技術課題と現状

１４．SiC単結晶ウェハの高品質化
　14.1 マイクロパイプ欠陥の低減
　14.2 貫通転位の低減
　14.3 基底面転位の低減

１５．まとめ

　　□質疑応答□　【16:10～16:30】