1/31 リソグラフィ技術の基礎および EUVリソグラフィ・レジスト周辺技術と展望

東京大学　大学院新領域創成科学研究科・特任助教　藤原 弘和　氏

＜経歴＞
1991年、岡山県生まれ。2019年に岡山大学にて博士号（理学）を取得。
同年、東芝メモリ株式会社（現 キオクシア株式会社）入社。
同社メモリ技術研究所デバイス技術研究開発センター配属。
2021年より東京大学物性研究所附属極限コヒーレント光科学研究センター特任研究員
を経て、2024年より同大学大学院新領域創成科学研究科特任助教に着任。
光電子分光・顕微鏡を活用した半導体デバイスおよび材料開発を専門とし、
産学連携による先端分析技術の社会実装にも取り組む。

＜WebSite＞
https://researchmap.jp/fujiwara_h

　フォトリソグラフィ技術の進化は、半導体集積回路の集積度向上を支えてきました。最先端の極端紫外線（EUV）リソグラフィによって20 nm以下の線幅まで解像可能となり、微細化による半導体製品の高性能化のトレンドは継続するとみられます。しかし、EUVリソグラフィには特有の課題があり、レジスト材料等の最適化が進められています。

　本講演では、微細加工技術の基礎から始まり、フォトリソグラフィ技術の原理や特長、さらに最新のEUVリソグラフィ技術について、光と物質の相互作用に基づいて詳しく解説します。
  EUVリソグラフィの装置やレジスト、フォトマスクなどの要素技術から応用事例までを網羅し、最後にフォトリソグラフィ技術の課題と今後の展望について紹介します。これにより、微細加工分野における最先端技術の理解を深めていただくことを目的としています。

＜得られる知識・技術＞
　・リソグラフィの物理・評価技術
　・半導体プロセス技術
　・半導体デバイス技術

＜プログラム＞
１．微細加工技術
   1.1 微細加工の基礎
　1.2 微細加工パターンの評価手法
　　1.2.1 光学顕微鏡
　　1.2.2 電子顕微鏡
　　1.2.3 プローブ顕微鏡

２．フォトリソグラフィの基礎
   2.1 フォトリソグラフィ技術の原理
　2.2 フォトリソグラフィの特長
　2.3 フォトリソグラフィの歴史
　2.4 フォトリソグラフィ技術の材料

３．EUVリソグラフィ技術の基礎
　3.1 EUVリソグラフィ装置
　3.2 EUV露光の物理
　3.3 EUVレジスト
　　3.3.1 化学増幅型レジスト
　　3.3.2 非化学増幅型レジスト
　　3.3.3 メタルレジスト
　　3.3.4 その他のレジスト
　3.4 レジスト周辺材料
　3.5 EUVフォトマスク
　　3.5.1 EUVマスクブランクス
　　3.5.2 EUVペリクル

４．EUVリソグラフィ技術の応用事例
　4.1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
　4.2  銀または銅焼結接合技術
　4.3  SiC-MOSFETモジュール技術

5．フォトリソグラフィ技術の課題と展望

　　　　　□質疑応答□

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