2/13 ブロック共重合体(BCP)を用いた 自己組織化リソグラフィ技術の基礎と動向・展望

東京応化工業株式会社　開発本部　リソグラフィープロセス材料研究課　課長　

太宰 尚宏　氏
専門：高分子化学
HP： https://www.tok.co.jp/

　フォトリソグラフィにおいて解像可能な最小の配線幅は露光光源の波長に比例するため、微細化に向け露光光源の短波長化が進んでいる。Sub-10nmの解像性を実現するため既存フォトリソグラフィに代わる技術開発が期待され、EUV露光技術を中心とし量産適用に向け研究開発が進んでいる。一方で分子の自己組織化などのボトムアップ技術を用い極微細パターンを形成する技術して注目を浴びているのがブロック共重合体（BCP）の自己組織化構造を利用したDSAによるリソグラフィ技術であり、研究レベルから工業化に向け大きな進歩を遂げている。

　本講演ではBCPを用いたDSAパターニング技術について紹介するとともに、BCPの次世代微細加工用レジストへの展開を見据えた最近の研究例について紹介する。

１．半導体市場の概況

 
２．DSA技術の基礎
　2.1 より大きなものから削り出す：半導体集積回路半導体の進化
　2.2 より小さなものから組み立てる：自己組織化
　2.3 フォトリソグラフィとDSAリソグラフィの違い
 
３．DSAパターン形成に必要な材料
　3.1 ブロック共重合体の特徴
　3.2 周期構造
　3.3 精密重合
　3.4 中性化膜
 
４．自己組織化から誘導自己組織化へ
　4.1 秩序性を持たせるためには
　4.2 DSAリソグラフィを半導体プロセスへ用いるために
 
５．DSA技術のメリットと課題
　5.1 フォトリソグラフィとの比較
　5.2 課題
 
６．今後の展望
　6.1 さらなる微細化に向けて
　6.2 次世代DSA技術_High-chi材料
 
７．まとめ

　□質疑応答□

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