7/4 量子ドットの基礎物性、作製、 構造測定技術とデバイス応用

国立大学法人電気通信大学　大学院情報理工学研究科　基盤理工学専攻　教授　博士（工学）　山口 浩一　氏
【講師紹介】

　高度情報化・高度知識化の進展によりさらに高速で大容量の情報の伝送・処理が求められ、一方では、膨大なデータ・情報量の伝送・処理にともなうエネルギー消費の増大が深刻な問題となっている。未来社会の持続的発展には、超高度情報化社会を支える超低消費電力で高性能・高機能を有する革新的な量子デバイスおよび高効率のエネルギー変換デバイスの開発が急務である。3次元量子井戸構造の量子ドット内に閉じ込められた電子は、原子中の電子のような性質をもつことから「人工原子」とも呼ばれ、様々な次世代の光電子デバイスへの応用が提案され、試作開発が進められている。量子ドットデバイスの開発に向けては、量子ドット構造を精密に制御して作製する高度な結晶成長技術とその量子ドットの構造の測定評価技術の修得が重要である。

　本セミナーでは、量子ドットの作製（エピタキシャル成長法）、量子ドット構造の測定評価法、そして量子ドットのデバイス応用に関する基礎的な解説と実際の実験データやデバイス試作例の紹介を交えて分かりやすく解説する。

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