11/19 プラズマエッチングにおける パーティクル・プロセス異常の検出技術と対策

(国研)産業技術総合研究所　先端半導体研究センター　CMOSインテグレーション研究チーム
博士(工学)　笠嶋 悠司 氏

【専門】

高電圧工学、プラズマ理工学

　現在、半導体はもはや産業上の一部品としてではなく、経済安全保障に関わる極めて重要な「特定重要物資」として扱われています。半導体製造技術の最先端では2nm、更にはより以細な製造技術の研究開発も進められています。その一方、国内半導体産業の特長の一つは、車載用マイコンやパワーデバイスを始めとして最先端の微細製造技術を必ずしも必要としない半導体デバイスに競争力を有することです。本セミナーでは、後者の製造を多く担う、いわゆるレガシーファブの量産ラインの前工程において装置稼働率や歩留まりの向上に必要となる製造技術について扱います。前工程の中でも特に収益性に関わりが大きいプラズマプロセスであるプラズマエッチングプロセス及び装置に必要となる技術について、不良発生の抑止や予知保全、メンテナンス費用削減、装置機差の低減等に資する技術について紹介、解説します。

１．はじめに
　1.1 半導体業界の動向
　1.2 半導体製造工程
　1.3 プラズマエッチングプロセス
　1.4 量産ラインにおけるパーティクル

２．プラズマエッチングプロセスにおけるパーティクル課題
　2.1 パーティクル対策の必要性
　2.2 パーティクルのその場検出手法
　2.3 パーティクルの発生メカニズム

３．プラズマプロセスにおける異常モニタリング・検出技術
　3.1 プロセス異常モニタリングの必要性
　3.2 異常放電検出手法
　3.3 プロセスモニタリング・異常検出技術

４．プラズマ耐性材料とその評価技術
　4.1 プロセスチャンバー用部品部材の腐食とパーティクル発生
　4.2 高プラズマ耐性材料へのニーズ
　4.3 部品部材のプラズマ耐性評価手法～セラミックス部材を例として

　　□質疑応答□

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