| イベント名 | 次世代パワーデバイス開発の最前線～Si・SiC・GaN・Ga₂O₃の技術進化と実装課題～ |
|---|---|
| 開催期間 |
2026年08月26日（水）
～ 2026年09月11日（金）
【ライブ受講（アーカイブ配信付）】 2026年8月26日（水） 13:00～16:30 【アーカイブ受講】 2026年9月11日（金）まで受付 （配信期間：9/11～9/29） ※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。 ※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。 ■配布資料 PDFデータ(印刷可・編集不可) ※開催2日前を目安に、主催会社様HPのS&T会員マイページよりダウンロード可となります。 ※アーカイブ配信受講の場合は、配信開始日からダウンロード可となります。 |
| 会場名 | 【Zoomによるライブ配信セミナー】アーカイブ(見逃し)配信付き |
| 会場の住所 | オンライン |
| お申し込み期限日 | 2026年09月11日（金）12時 |
| お申し込み受付人数 | 30 名様 |
| お申し込み |
|
次世代パワーデバイス開発の最前線～Si・SiC・GaN・Ga₂O₃の技術進化と実装課題～
量産課題と将来性から考えるパワーデバイス材料別の技術優位性と産業構造の変化
受講料（税込）：49,500円
＼お得な割引キャンペーン実施中！／
詳細・お申し込みは「お申し込みはこちらから」よりご確認ください。
【オンライン配信】
ライブ配信 ►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください）
アーカイブ配信 ►受講方法・視聴環境確認（申込み前に必ずご確認ください）
セミナー視聴はマイページから
お申し込み後、マイページの「セミナー資料ダウンロード／映像視聴ページ」に
お申込み済みのセミナー一覧が表示されますので、該当セミナーをクリックしてください。
（アーカイブ配信は、配信日に表示されます。）
技術・市場・業界再編から将来展望までを一挙解説！
パワーエレクトロニクス産業を支えるパワーデバイスの最新動向を、SiからSiC、GaN、Ga₂O₃まで広く取り上げ、各材料の特徴、技術的優位性、量産化課題、最新の開発動向を詳細に解説します。
また、日本のパワーデバイス産業が直面する競争環境や業界再編の動きにも触れながら、今後の技術・市場の方向性を展望します。初学者にもわかりやすい構成で、研究・開発・事業企画に役立つ内容です。
講師
グリーンパワー山本研究所 所長 山本 秀和 氏
専門 : 半導体デバイス、半導体結晶
経歴：元 千葉工業大学教授
元 三菱電機パワーデバイス開発部長
セミナー趣旨
パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。SiC、GaNおよびGa2O3は、物性値自身がパワーデバイスに適しており、試作されたデバイスの特性は良好です。しかしながら、結晶品質が劣る、信頼性に不安がある、歩留まりが低い、コストが高い等々、本格的な量産化には多くの課題があります。
これまで、日本はパワーデバイス産業を牽引してきましたが、その地位は徐々に落ちてきています。特に、SiCに復活をかけた日本メーカの思惑はことごとく失敗に終わりました。このままでは、Siを含めて日本のパワーデバイス産業は終焉を迎えかねません。
本セミナーでは、Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイス進化の歴史、課題および将来展望について、分かりやすく解説します。日本のパワーデバイスメーカでは、パワーデバイスの復活をかけた再編が開始されつつあります。この取り組みについても、見解を述べます。
セミナー講演内容
１．パワーエレクトロニクス／パワーデバイス産業
1.1 パワーエレクトロニクスの重要性
1.2 パワーデバイスの用途と産業構造
２．パワーデバイスの構造と高性能化の歴史
2.1 パワーデバイスの構造と要求性能
2.2 Siパワーデバイスの高性能化
３．SiCパワーデバイスの優位性と課題
3.1 SiCパワーデバイスの優位性
3.2 SiCパワーデバイスの課題
４．GaNパワーデバイスの優位性と課題
4.1 GaNパワーデバイスの優位性
4.2 GaNパワーデバイスの課題
５．Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題
5.1 Ga2O3パワーデバイスの優位性
5.2 Ga2O3パワーデバイスの課題
６．パワーデバイスの将来展望
6.1 パワーデバイス業界の動向
6.2 復活をかけた日本のパワーデバイス業界の再編
□質疑応答□
※詳細・お申込みは上記
「お申し込みはこちらから」（遷移先WEBサイト）よりご確認ください。
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