8/26 次世代パワーデバイス開発の最前線～Si・SiC・GaN・Ga₂O₃の技術進化と実装課題～

次世代パワーデバイス開発の最前線～Si・SiC・GaN・Ga₂O₃の技術進化と実装課題～

量産課題と将来性から考えるパワーデバイス材料別の技術優位性と産業構造の変化

講師

グリーンパワー山本研究所　所長　山本 秀和　氏

専門 : 半導体デバイス、半導体結晶
経歴：元 千葉工業大学教授
　　　元 三菱電機パワーデバイス開発部長

セミナー趣旨

パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。SiC、GaNおよびGa2O3は、物性値自身がパワーデバイスに適しており、試作されたデバイスの特性は良好です。しかしながら、結晶品質が劣る、信頼性に不安がある、歩留まりが低い、コストが高い等々、本格的な量産化には多くの課題があります。
これまで、日本はパワーデバイス産業を牽引してきましたが、その地位は徐々に落ちてきています。特に、SiCに復活をかけた日本メーカの思惑はことごとく失敗に終わりました。このままでは、Siを含めて日本のパワーデバイス産業は終焉を迎えかねません。
本セミナーでは、Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイス進化の歴史、課題および将来展望について、分かりやすく解説します。日本のパワーデバイスメーカでは、パワーデバイスの復活をかけた再編が開始されつつあります。この取り組みについても、見解を述べます。

セミナー講演内容

１．パワーエレクトロニクス／パワーデバイス産業
　1.1　パワーエレクトロニクスの重要性
　1.2　パワーデバイスの用途と産業構造

２．パワーデバイスの構造と高性能化の歴史
　2.1　パワーデバイスの構造と要求性能
　2.2　Siパワーデバイスの高性能化

３．SiCパワーデバイスの優位性と課題
　3.1　SiCパワーデバイスの優位性
　3.2　SiCパワーデバイスの課題

４．GaNパワーデバイスの優位性と課題
　4.1　GaNパワーデバイスの優位性
　4.2　GaNパワーデバイスの課題

５．Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題
　5.1　Ga2O3パワーデバイスの優位性
　5.2　Ga2O3パワーデバイスの課題

６．パワーデバイスの将来展望
　6.1　パワーデバイス業界の動向
　6.2　復活をかけた日本のパワーデバイス業界の再編

□質疑応答□