| イベント名 | 酸化物半導体の基礎と三次元集積デバイス応用に向けた研究開発動向 |
|---|---|
| 開催期間 |
2026年10月16日（金）
13:00～16:30 【見逃し配信の視聴期間】 開催翌営業日から7日間［10/19～10/26中］を予定 ※動画は未編集のものになります。 ※視聴ページは、開催翌営業日にマイページへリンクを設定します。 ※会社・自宅にいながら受講可能です。 ※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。 ※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。 ■配布資料 PDFデータ(印刷可・編集不可) ※開催2日前を目安に、主催会社様HPのS&T会員マイページよりダウンロード可となります。 |
| 会場名 | 【Zoomによるライブ配信セミナー】アーカイブ(見逃し)配信付き |
| 会場の住所 | オンライン |
| お申し込み期限日 | 2026年10月16日（金）12時 |
| お申し込み受付人数 | 30 名様 |
| お申し込み |
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酸化物半導体の基礎と三次元集積デバイス応用に向けた研究開発動向
～ 酸化物半導体の材料・プロセス・デバイス特性（薄膜形成・トランジスタ形成技術） ～
～ 三次元集積化技術（3Dメモリデバイス、DRAM、NAND）への展開 ～
受講料（税込）：49,500円
＼お得な割引キャンペーン実施中！／
詳細・お申し込みは「お申し込みはこちらから」よりご確認ください。
【オンライン配信】
ライブ配信 ►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください）
アーカイブ配信 ►受講方法・視聴環境確認（申込み前に必ずご確認ください）
セミナー視聴はマイページから
お申し込み後、マイページの「セミナー資料ダウンロード／映像視聴ページ」に
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（アーカイブ配信は、配信日に表示されます。）
本セミナーでは、酸化物半導体の 材料物性・プロセス技術・デバイス特性 の基礎を整理しながら、三次元集積デバイス応用に向けた最新の開発動向を解説します。
講師
東京大学 生産技術研究所 教授 Ph.D（電子工学） 小林 正治 氏
【ご経歴】
2010年 米国スタンフォード大学博士課程修了
2010年-2014年 米国IBMワトソン研究所 プロパー研究員
2014年-2019年 東京大学生産技術研究所 准教授
2019年-2025年 東京大学大学院工学系研究科附属d.lab 准教授
2025年より 東京大学生産技術研究所 教授
【ご専門】集積ナノエレクトロニクス
【WebSite】https://nano-lsi.iis.u-tokyo.ac.jp/
セミナー趣旨
IGZOをはじめとする酸化物半導体は、低温形成可能、高移動度、透明、低リーク電流といった優れた特性を有し、ディスプレイ分野で量産技術として成功を収めた。現在、酸化物半導体の集積デバイス技術への応用への期待が高まってきている。特に、プロセッサとメモリアレイを同一チップに集積化するモノリシック3D集積化や、DRAMまたはNAND向けの三次元構造メモリへの応用が期待されおり、半導体メーカーでの研究開発も活発化している。このような状況をふまえて本講演では酸化物半導体の基礎を解説するとともに、最近の三次元デバイス応用に向けた研究開発動向を解説する。
セミナー講演内容
１．背景
・酸化物半導体のニーズ
-なぜ酸化物半導体か？
２．酸化物半導体の基礎
・酸化物半導体の材料物性
-シリコンと何が違うか？
・酸化物半導体のプロセス技術
-薄膜形成技術、
-トランジスタ形成技術
・酸化物半導体のデバイス技術
-トランジスタの性能
-トランジスタの信頼性
３．三次元集積デバイス応用の研究開発動向
・集積デバイスの現状
-シリコンの限界
・モノリシック三次元集積技術
-混載メモリ
・三次元構造メモリデバイス
-三次元DRAM
-三次元NAND
４．まとめ
□質疑応答□
※詳細・お申込みは上記
「お申し込みはこちらから」（遷移先WEBサイト）よりご確認ください。
※満席・日程終了などで参加が難しい場合は、下記「お問い合わせ」ボタンより再開催のリクエストを承っております
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