10/16 酸化物半導体の基礎と三次元集積デバイス応用に向けた研究開発動向

酸化物半導体の基礎と三次元集積デバイス応用に向けた研究開発動向

～ 酸化物半導体の材料・プロセス・デバイス特性（薄膜形成・トランジスタ形成技術） ～
～ 三次元集積化技術（3Dメモリデバイス、DRAM、NAND）への展開 ～

講師

東京大学　生産技術研究所　教授　Ph.D（電子工学）　小林 正治​　氏

【ご経歴】
2010年　米国スタンフォード大学博士課程修了
2010年-2014年　米国IBMワトソン研究所 プロパー研究員
2014年-2019年　東京大学生産技術研究所 准教授
2019年-2025年　東京大学大学院工学系研究科附属d.lab 准教授
2025年より　東京大学生産技術研究所　教授

【ご専門】集積ナノエレクトロニクス
【WebSite】https://nano-lsi.iis.u-tokyo.ac.jp/

セミナー趣旨

IGZOをはじめとする酸化物半導体は、低温形成可能、高移動度、透明、低リーク電流といった優れた特性を有し、ディスプレイ分野で量産技術として成功を収めた。現在、酸化物半導体の集積デバイス技術への応用への期待が高まってきている。特に、プロセッサとメモリアレイを同一チップに集積化するモノリシック3D集積化や、DRAMまたはNAND向けの三次元構造メモリへの応用が期待されおり、半導体メーカーでの研究開発も活発化している。このような状況をふまえて本講演では酸化物半導体の基礎を解説するとともに、最近の三次元デバイス応用に向けた研究開発動向を解説する。

セミナー講演内容

１．背景
・酸化物半導体のニーズ
　 -なぜ酸化物半導体か？

２．酸化物半導体の基礎
・酸化物半導体の材料物性
　　-シリコンと何が違うか？
・酸化物半導体のプロセス技術
　　-薄膜形成技術、
　　-トランジスタ形成技術
・酸化物半導体のデバイス技術
　　-トランジスタの性能
　　-トランジスタの信頼性

３．三次元集積デバイス応用の研究開発動向
・集積デバイスの現状
　　-シリコンの限界
・モノリシック三次元集積技術
　　-混載メモリ
・三次元構造メモリデバイス
　　-三次元DRAM
　　-三次元NAND

４．まとめ

　□質疑応答□

※満席・日程終了などで参加が難しい場合は、下記「お問い合わせ」ボタンより再開催のリクエストを承っております