製品・技術
再現実験を行うことによって、破壊ストレスの種類とその結果として引き起こされた破壊の状況を対応付けます。今回は代表的な破壊要因としてEOS破壊、ESD破壊の再現実験を行いました。添付ファイルをご参照ください。
| 製品概要 | 半導体デバイスの電気的破壊試験と故障解析 |
| 特徴 | EOS破壊、ESD破壊、IGBT、リニアレギュレータ、外観観察、電気的特性測定、Ｘ線観察、超音波顕微鏡観察、LIT、IR-OBIRCH、FIB、SEM-EDS、STEM |
| 製品名・型番等 シリーズ名 |
故障解析 |
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