製品・技術
【故障解析】半導体デバイスの電気的破壊試験と故障解析
再現実験
信頼性試験
分析・故障解析
/
自動車 電子・半導体 試験・分析・測定
再現実験を行うことによって、破壊ストレスの種類とその結果として引き起こされた破壊の状況を対応付けます。今回は代表的な破壊要因としてEOS破壊、ESD破壊の再現実験を行いました。添付ファイルをご参照ください。
製品概要
半導体デバイスの電気的破壊試験と故障解析
特徴
EOS破壊、ESD破壊、IGBT、リニアレギュレータ、外観観察、電気的特性測定、X線観察、超音波顕微鏡観察、LIT、IR-OBIRCH、FIB、SEM-EDS、STEM
製品名・型番等
シリーズ名
故障解析
【このページの関連ページ】
お問い合わせはこちらから
このページに関するお問い合わせ
【前のページ】
最新鋭超音波顕微鏡 Sonoscan社Gen6 C-SAM
HOME
【次のページ】
IB-19510CP「断面試料作製装置」を導入
HOME
事例
製品・技術
イベント
ニュース
試験一覧
設備紹介
会社概要
お問い合わせ
参加ポータル
サイト内検索
クオルテック公式サイト
株式会社クオルテック
新着ページ
加工対象物を選ばない新工法「レーザデスミア」
(2024年06月11日)
基板の実装不良における様々な観察事例④(はんだボール)
(2024年05月28日)
基板の実装不良における様々な観察事例③(未溶融)
(2024年05月14日)
PY(パイロライザー)による熱抽出・熱分解GC/MS
(2024年04月30日)
基板の実装不良における様々な観察事例②(基板要因)
(2024年04月16日)
月別ページ
すべてのページ一覧
2024年06月(1)
2024年05月(2)
2024年04月(3)
2024年03月(4)
2024年02月(2)
サイトマップ
すべてのページカテゴリ一覧
信頼性試験(49)
分析・故障解析(28)
分析・解析(22)
研究開発(20)
観察(12)
分析試料作製(9)
測定(9)
微細加工(8)
再現実験(4)
試料作製(4)