イベント名 | 自動車の電動化に向けた、 シリコン、SiC・GaNパワーデバイス開発の 最新状況と今後の動向 |
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開催期間 |
2024年03月21日(木)
10:30~16:30 【アーカイブの視聴期間】 2024年3月22日(金)~3月28日(木)まで このセミナーはアーカイブ付きです。セミナー終了後も繰り返しの視聴学習が可能です。 ※会社・自宅にいながら受講可能です※ |
会場名 | 【ZoomによるLive配信セミナー】アーカイブ(見逃し)配信付き |
会場の住所 | オンライン |
お申し込み期限日 | 2024年03月21日(木)10時 |
お申し込み受付人数 | 30 名様 |
お申し込み |
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自動車の電動化に向けた、
シリコン、SiC・GaNパワーデバイス開発の
最新状況と今後の動向
■パワー半導体デバイス、パッケージの最新技術動向■
■Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題■
■パワー半導体デバイス、SiC/GaN市場予測■
■シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術■
★ xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイス。最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向とは?
★ 半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説します。
【Live配信受講者 限定特典のご案内】
当日ご参加いただいたLive(Zoom)配信受講者限定で、特典(無料)として
「アーカイブ配信」の閲覧権が付与されます。
オンライン講習特有の回線トラブルや聞き逃し、振り返り学習にぜひ活用ください。 |
講師 |
筑波大学 数理物質系 教授 岩室 憲幸 氏
【経歴・研究内容・専門・ご活動など】
1984年早稲田大学理工学部卒、1998年 博士(工学)(早稲田大学)
富士電機株式会社に入社。
1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、IGBT、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事
1992年North Carolina State Univ. Visiting Scholar. MOS-gate thyristorの研究に従事
1999年-2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事
2009 年5月-2013年3月 産業技術総合研究所に出向。SiC-MOSFET、SBDの研究,量産技術開発に従事。
2013年4月- 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る
IEEE Senior Member, 電気学会上級会員、応用物理学会会員
【著書】
1.「車載機器におけるパワー半導体の設計と実装」 (科学情報出版, 2019年9月)
2.“Wide Bandgap Semiconductor Power Devices” Editor B.J.Baliga, Chapert 4 担当・執筆 (Elsevier, Oct. 2018)
3.(監修書)「次世代パワー半導体の開発・評価と実用化」(㈱エヌ・ティー・エス 2022年2月)
4.「次世代パワー半導体の開発動向と応用展開」(㈱シーエムシー出版, 2021年8月)
5.(編集書)「世界を動かすパワー半導体 -IGBTがなければ電車も自動車も動かない-」(電気学会2008年12月 )
【受賞】
日経エレクトロニクス パワーエレクトロニクスアワード2020 最優秀賞 (2020年12月)
電気学会 第23回優秀活動賞 技術報告賞 (2020年4月)
電気学会 優秀技術活動賞 グループ著作賞(2011年)
【専門】シリコン、SiCパワー半導体設計、解析技術
【WebSite】
http://power.bk.tsukuba.ac.jp/
https://youtu.be/VjorIIacez0
セミナー趣旨 |
2024年現在、世界各国は自動車の電動化(xEV)開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEV化はもはや大きな潮流となった。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。特にSiCデバイスはすでにxEVへの搭載も始まっており、今後はシリコンIGBTをいかに凌駕していくかに注目が集まっている。
そこでポイントとなるのが、新材料SiCデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求にどう応えていくかであると思われる。最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。
セミナー講演内容 |
<得られる技術・知識>
パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向。Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。パワー半導体デバイスならびにSiC/GaN市場予測。シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術、など。
<プログラム>
1.パワーエレクトロニクス(パワエレ)とはなに
1.1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
1.2 パワー半導体の種類と基本構造
1.3 パワーデバイスの適用分野
1.4 最近のトピックスから
1.5 パワーデバイスのお客様は何を望んでいるのか?
1.6 シリコンMOSFET・IGBTの伸長
1.7 パワーデバイス開発のポイント
2.最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題
2.1 パワーデバイス市場の現在と将来
2.2 MOSFET特性改善を支える技術
2.3 IGBT特性改善を支える技術
2.4 IGBT薄ウェハ化の限界
2.5 IGBT特性改善の次の一手
2.6 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに
2.7 シリコンIGBTの実装技術
3.SiCパワーデバイスの現状と課題
3.1 半導体デバイス材料の変遷
3.2 ワイドバンドギャップ半導体とは?
3.3 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
3.4 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか?
3.5 SiC-MOSFETのSi-IGBTに対する勝ち筋
3.6 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
3.7 SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
3.8 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
3.9 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
3.10 内蔵ダイオード信頼性向上技術
4.GaNパワーデバイスの現状と課題
4.1 なぜGaNパワーデバイスなのか?
4.2 GaNデバイスの構造
4.3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
4.4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は?
4.5 ノーマリ-オフ・ノーマリーオン特性とはなに?
4.6 GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
4.7 GaN-HEMTの課題
4.8 縦型GaNデバイスの最新動向
5.酸化ガリウムパワーデバイスの現状
5.1 酸化ガリウムの特徴は何
5.2 最近の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況
6.SiCパワーデバイス実装技術の進展
6.1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
6.2 銀または銅焼結接合技術
6.3 SiC-MOSFETモジュール技術
7.まとめ
□質疑応答□
※詳細・お申込みは上記
「お申し込みはこちらから」(遷移先WEBサイト)よりご確認ください。
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