4/30 自動車の電動化に向けた、 シリコン、ＳｉＣ・ＧａＮパワーデバイス開発の 最新状況と今後の動向
| イベント名 | 自動車の電動化に向けた、 シリコン、ＳｉＣ・ＧａＮパワーデバイス開発の 最新状況と今後の動向 |
|---|---|
| 開催期間 |
2025年04月30日（水）
10:30～16:30 【アーカイブの視聴期間】 2025年5月1日(木)～5月7日(水)まで このセミナーはアーカイブ付きです。セミナー終了後も繰り返しの視聴学習が可能です。 ※会社・自宅にいながら受講可能です※ |
| 会場名 | 【ZoomによるLive配信セミナー】アーカイブ(見逃し)配信付き |
| 会場の住所 | オンライン |
| お申し込み期限日 | 2025年04月30日（水）10時 |
| お申し込み受付人数 | 30 名様 |
| お申し込み |
|
自動車の電動化に向けた、
シリコン、ＳｉＣ・ＧａＮパワーデバイス開発の
最新状況と今後の動向
■パワー半導体デバイス、パッケージの最新技術動向■
■Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題■
■パワー半導体デバイス、SiC/GaN市場予測■
■シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術■
★ アーカイブ配信のみの受講もOKです。
★ パワエレ・パワーデバイスの基礎、シリコン、IGBT、SiC、GaN、酸化ガリウムパワーデバイスを俯瞰的に解説！
| 【Live配信受講者 限定特典のご案内】
当日ご参加いただいたLive(Zoom)配信受講者限定で、特典(無料)として
「アーカイブ配信」の閲覧権が付与されます。
オンライン講習特有の回線トラブルや聞き逃し、振り返り学習にぜひ活用ください。 |
| 講師 |
筑波大学 数理物質系 教授 岩室 憲幸 氏
【経歴・研究内容・専門・ご活動など】
1984年早稲田大学理工学部卒、1998年 博士（工学）（早稲田大学）
富士電機株式会社に入社。
1988年から現在までﾊﾟﾜｰﾃﾞﾊﾞｲｽｼﾐｭﾚｰｼｮﾝ技術、ＩＧＢＴ、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事
1992年North Carolina State Univ. Visiting Scholar. MOS-gate thyristorの研究に従事
1999年-2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事
2009 年5月-2013年3月 産業技術総合研究所に出向。SiC-MOSFET、SBDの研究,量産技術開発に従事。
2013年4月- 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る。
IEEE Senior Member, 電気学会上級会員、応用物理学会会員
【著書】
1．「パワエレ技術者のためのSiCパワー半導体デバイス」（科学情報出版, 2024年2月）
2．「車載機器におけるパワー半導体の設計と実装」 （科学情報出版, 2019年9月）
3. “Springer Handbook of Semiconductor Devices” Editor M Rudan et al., Chapter “Silicon Power
Devices 担当執筆, Springer Nature, 2023.
4．“Wide Bandgap Semiconductor Power Devices” Editor B.J.Baliga, Chapert 4 担当・執筆 (Elsevier, Oct. 2018)
【監修書】
1．「パワーエレクトロニクス技術の進展」 （㈱シーエムシー出版, 2024年9月）
2．「次世代パワー半導体の開発・評価と実用化」（㈱エヌ・ティー・エス 2022年2月）、
3．「次世代パワー半導体の開発動向と応用展開」（㈱シーエムシー出版, 2021年8月）
【編集書】
1．「世界を動かすパワー半導体 －IGBTがなければ電車も自動車も動かない-」（電気学会2008年12月 ）
【受賞】
日経エレクトロニクス パワーエレクトロニクスアワード2020 最優秀賞 (2020年12月)
電気学会 第23回優秀活動賞 技術報告賞 (2020年4月)
電気学会 優秀技術活動賞 グループ著作賞(2011年)
【専門】
シリコン、SiCパワー半導体設計、解析技術
【WebSite】
http://power.bk.tsukuba.ac.jp/
https://youtu.be/VjorIIacez0
| セミナー趣旨 |
2025年現在、世界各国は自動車の電動化（xEV）開発に向け大きく進展している。現在その進展のスピードはやや減速していると言われているが、xEV化はもはや大きな潮流となった。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。特にSiCデバイスはすでにxEVへの搭載も始まっており、今後はシリコンIGBTをいかに凌駕していくかに注目が集まっている。
そこでポイントとなるのが、新材料SiCデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求にどう応えていくかであると思われる。最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、また最近注目され始めてきた新材料酸化ガリウムパワーデバイスの動向や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。
| セミナー講演内容 |
パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向。Si-MOSFET, IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。パワー半導体デバイスならびにSiC/GaN市場予測。シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術、酸化ガリウムパワーデバイス技術など。
＜プログラム＞
１．パワーエレクトロニクス（パワエレ）とはなに
1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
1-2 パワー半導体の種類と基本構造
1-3 パワーデバイスの適用分野
1-4 最近のトピックスから
1-5 パワーデバイスのお客様は何を望んでいるのか？
1-6 シリコンMOSFET・IGBTの伸長
1-7 ノーマリ－オフ・ノーマリーオン特性とはなに？
1-8 パワーデバイス開発のポイント
２．最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題
2-1 パワーデバイス市場の現在と将来
2-2 MOSFET特性改善を支える技術
2-3 IGBT特性改善を支える技術
2-4 IGBT薄ウェハ化の限界
2-5 IGBT特性改善の次の一手
2-6 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに
2-7 シリコンIGBTの実装技術
３．SiCパワーデバイスの現状と課題
3-1 半導体デバイス材料の変遷
3-2 ワイドバンドギャップ半導体とは？
3-3 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
3-4 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか？
3-5 SiC-MOSFETのSi-IGBTに対する勝ち筋
3-6 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
3-7 SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
3-8 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
3-9 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？
3-10 内蔵ダイオード信頼性向上技術
４．GaNパワーデバイスの現状と課題
4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか？
4-2 GaNデバイスの構造
4-3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
4-4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？
4-5 GaN-HEMTのノーマリ－オフ化
4-6 GaN-HEMTの最新技術動向（高耐圧化へ向けて）
4-7 縦型GaNデバイスの最新動向
５．酸化ガリウムパワーデバイスの現状
5-1 酸化ガリウムの特徴は何
5-2 最近の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況
６．SiCパワーデバイス実装技術の進展
6-1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
6-2 銀または銅焼結接合技術
6-3 SiC-MOSFETモジュール技術
７．まとめ
□質疑応答□
※詳細・お申込みは上記
「お申し込みはこちらから」（遷移先WEBサイト）よりご確認ください。
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