10/27 半導体製造のCMP技術・CMP後洗浄の基礎と 最新技術および今後の課題・展望

 (株)荏原製作所　精密・電子カンパニー　装置事業部　ビジネス戦略推進部　技術マーケティング課　シニア・テクノロジー・エキスパート　今井 正芳　氏

専門：半導体製造における洗浄プロセス全般および基本CMPプロセス

 　昨今の半導体業界の躍進は周知のとおりです。その半導体の電子媒体であるチップ構造も、微細化から三次元化も含めて形態が複雑化しています。その半導体を製造する工程の一つであるCMP技術は、上記要求に対し、更に工程数も増えており、今後も新たな工程でCMPプロセスに期待がかかっています。

　今回のセミナーでは、CMPの基本的なプロセス技術と装置構成について今後CMPに関わる方にも分かりやすく解説します。また、特にCMP後の洗浄については、一般の半導体洗浄との違い、独特なウェーハ表面洗浄について解説し、最後に課題と解決策を提言します。

０．はじめに…2030年に向けたSEMI・CMP市場
 
１．半導体製造におけるCMP工程の概要
　1.1 CMPとは
　　1.1.1 CMPの主な適用工程
　　1.1.2 CMP工程数の増加
　1.2 CMP研磨部の基本構成
　　1.2.1 基本原理
　　　・基本構成
　　　・均一に研磨できる理由
　　　・CMPパフォーマンスの要素と変数「k」
　　　・主なCMP性能とパラメータ
　　1.2.2 研磨ヘッドの歴史とプロファイル制御
　　1.2.3 エンドポイント、プロセスモニタ・コントロール技術
　　　・TCM, RECM, SOPMの解説
　　　・プロセスモニタとIn-situプロセスコントロール技術
　　1.2.4 装置構成（研磨部、洗浄部）
 
２．CMP後洗浄の概要
　2.1 洗浄プロセスの基礎
　　2.1.1 半導体洗浄のはじまり
　　2.1.2 半導体洗浄技術の体系
　　2.1.3 薬液を使った半導体洗浄の代表的なウェーハ表面からのパーティクル除去メカニズム
　　2.1.4 DLVO理論
　　2.1.5 乾燥技術
　2.2 半導体洗浄の中のCMP後洗浄
　　2.2.1 一般的な洗浄プロセスとCMP後の洗浄の違い
　　2.2.2 各膜種によるCMPのメカニズムと手段、処理形態
 
３．今後のCMP後洗浄の課題
　3.1 ロードマップ解説
　3.2 CMP特有の洗浄課題
　　・滞留領域
　3.3 Cu腐食についての解説
　　・DIW溶存ガスによる腐食と抑制
　　・その他、電池効果、光、洗浄剤

４．まとめ

　□質疑応答□

※詳細・お申込みは上記

「お申し込みはこちらから」（遷移先WEBサイト）よりご確認ください。