10/30 半導体封止材の設計・開発とその技術 および半導体パッケージのトレンド

NBリサーチ　代表　野村 和宏　氏
※元ナガセケムテックス(株)

　半導体のトレンドはやはり大容量、高速通信、省電力であろう。省電力に対してはマクロな世界ではパワーデバイスの材料に変革が起こり、ミクロの世界では光電融合（CPO）の開発で各社がしのぎを削っている。高速化においては2nm世代への突入、ヘテロジーニアスインテグレーションの本格化が顕在化している。こうした中で封止材にも超高耐熱、低誘電、熱伝導、透明樹脂など次々と新たな課題が生まれてきている。

　本講義では現在に至るまでのパッケージのトレンドから最新パッケージに求められる封止材の設計について封止材の基礎から最新ニーズへの対応までを解説する。

1．デバイスの分類
　1.1 ICデバイス
　1.2 オプトデバイス
　1.3 パワーデバイス
　1.4 センサーデバイス

2．パワーデバイス
　2.1 パワーデバイスの用途
　2.2 パワーデバイスの封止法
　　2.2.1 ケース型モジュール
　　2.2.2 モールド型モジュール
　2.2 パワーデバイスのトレンド
　2.3 パワーデバイスと封止材の市場

3．ICデバイス
　3.1 ワイヤーボンドパッケージ
　　3.1.1 封止樹脂の成型法
　　3.1.2 封止樹脂の作業性
　3.2 フリップチップパッケージ
　　3.2.1 封止樹脂の成型法
　　3.2.2 封止樹脂の作業性
　3.3 WLP向け封止樹脂
　　3.3.1 FO-WLP/FI-WLPとは
　　3.3.2 FO-WLPの構造
　　　1) RDL First
　　　2) Chip First
　　3.3.3 FO-WLPの成型法
　　3.3.4 ヘテロジーニアスインテグレーションへの展開

4．半導体封止材の設計
　4.1 半導体封止材設計の基礎
　　4.1.1 エポキシ樹脂の選択
　　4.1.2 硬化剤の選択
　　4.1.3 添加剤の選択
　4.2 半導体封止材に共通の要求特性
　　4.2.1 高純度
　4.3 パワーデバイス向け封止材の要求特性
　　4.3.1 超高耐熱
　　4.3.2 難燃性
　4.4 ICパッケージ向け封止材の共通の要求特性
　　4.4.1 耐湿性
　　4.4.2 低応力
　　4.4.3 高接着性

5．次世代半導体封止材への要求とは
　5.1 高周波による伝送損失への対応
　　5.1.1 低誘電封止樹脂
　5.2 デバイスの発熱に対する対応
　　5.2.1 熱伝導性封止材
  5.3 光電融合技術（CPO）
　　5.3.1 透明接着剤

質疑応答 

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