1/23 半導体プロセスにおける検査・解析技術の基礎と最新技術動向 〜光と電子で「見る」技術の最先端〜

１．半導体プロセスと検査
　1-1. 半導体集積回路のロードマップ
　1-2. 半導体プロセスの基礎
　1-3. 半導体プロセス中の検査の種類と用途

２．光学検査の基礎
　2-1. 光学顕微鏡
　2-2. レーザー顕微鏡
　2-3. 白色干渉計
　2-4. ウェハ欠陥検査装置
　2-5. マスク検査装置

３．電子線検査の基礎
　3-1. 走査型電子顕微鏡（SEM）
　3-2. 透過型電子顕微鏡（TEM）
　3-3. 走査透過型電子顕微鏡（STEM）
　3-4. 電子エネルギー損失分光（EELS）

４．走査プローブ検査の基礎
　4-1. 原子間力顕微鏡（AFM）
　4-2. 走査型静電容量顕微鏡（SCM）
　4-3. 走査型広がり抵抗顕微鏡（SSRM）
　4-4. ケルビンプローブフォース顕微鏡（KPFM）

５．最近の検査・解析技術の動向
　5-1. 半導体製造現場から高まる要求と技術課題
　5-2. リソグラフィ検査―レジストの形状/化学解析
　5-3. ウェハ欠陥検査―SiCウェハの非破壊検査
　5-4. マスク欠陥検査―EUVマスクブランクスの位相欠陥検出
　5-5. 先端プロセス・デバイス検査―GAAトランジスタ向けリセスプロセス解析

６．将来展望とまとめ、Q&A

　□質疑応答□