3/17 半導体用レジストの基礎とプロセスの最適化 およびEUVリソグラフィ技術・材料の最新動向
| イベント名 | 半導体用レジストの基礎とプロセスの最適化 およびEUVリソグラフィ技術・材料の最新動向 |
|---|---|
| 開催期間 |
2026年03月17日（火）
～ 2026年04月03日（金）
【ライブ配信】2026年3月17日（火）10:30～16:30 【アーカイブ配信】2026年4月3日（金）まで受付 (視聴期間：4/3～4/16） ※会社・自宅にいながら受講可能です。 【配布資料】 |
| 会場名 | 【ライブ配信（Zoom使用）受講】もしくは【アーカイブ配信受講】 |
| 会場の住所 | オンライン |
| お申し込み期限日 | 2026年04月03日（金）16時 |
| お申し込み受付人数 | 30 名様 |
| お申し込み |
|
半導体用レジストの基礎とプロセスの最適化
およびEUVリソグラフィ技術・材料の最新動向
■フォトレジストの基本原理（光化学反応・溶解性）■ ■ポジ型／ネガ型レジスト■
■レジストとSi基板の密着性向上■■レジストの現像特性と評価■
■HMDS処理と感度・現像特性への影響■■EUVリソグラフィの特徴と課題■
■EUV・メタルレジスト材料の動向■■PFAS規制の影響とPFASフリーレジストの開発動向■
アーカイブ配信 ►受講方法・視聴環境確認（申込み前に必ずご確認ください）
【第2部】「EUVリソグラフィ技術の最新動向とPFAS規制の影響」では、量産適用が進むEUVリソグラフィ技術に焦点を当て、EUVレジスト特有の課題や材料開発の最新動向、メタルレジストの可能性を解説します。さらに近年注目されるPFAS規制がレジスト材料に与える影響と、PFASフリー材料の開発動向についても紹介します。
基礎から最新技術・規制動向までを一日で俯瞰・習得でき、若手研究者から実務担当者まで幅広く役立つ内容です。
・レジストの基礎知識
・レジストプロセスのトラブル対処法
・リソグラフィとフォトレジスト材料の基礎と歴史
・ 業務に活かすため、レジストについての知見を得たいと考えている方
・ レジストに取り組んでいるが、感度、解像度、基板とも密着性のような課題があり困っている方
・本テーマに関心ある化学材料メーカーや周辺部材メーカーの方々。
分かりやすく解説するので、若手研究者やマーケティング担当、新規分野探索担当の方、さらには新人教育資料にも適。予備知識は不要。
※本セミナーは、日本国内在住の方を対象としております。
※海外からのアクセス・受講はご遠慮いただいております。
| 講師 |
大阪公立大学 学長特別補佐
大学院工学研究科 物質化学生命系専攻 化学バイオ工学分野 高分子化学研究グループ
教授 博士(工学) 堀邊 英夫 氏
[ご専門]
高分子物性（フィラー分散高分子の電気特性、PVDFの結晶構造制御、レジスト材料・プロセス、活性種とポリマーとの反応性）
株式会社日立ハイテク ナノテクノロジーソリューション事業統括本部 事業戦略本部
主任技師 藤森 亨 氏
[ご専門]
有機化学、有機合成化学、リソグラフィ材料とプロセス
MNCプログラムコミッティ パターンマテリアルズセクションヘッド
IWAPS International Advisory Committee Members
JJAP, ACS, JVST 論文審査官
| セミナー趣旨 |
【第1部】
本セミナーでは、レジスト材料・プロセスの最適化について紹介する。
半導体、LCD等の電子デバイス製造では、成膜、パターン作製 (レジスト塗布、露光、現像) 、エッチング、レジスト剥離、洗浄等のプロセスを複数回繰り返すことにより、基板上にトランジスタを形成している。特に、微細素子のパターニングに用いられるレジストの剥離プロセスにおいては、硫酸、過酸化水素、アミン系有機溶剤など環境負荷の大きい薬液を大量に使用する。
【第2部】
３０年にもおよんだ長い検討期間を経て、ついに２０１９年EUVリソグラフィが量産適用された。しかしながら、適用された各技術は序章、課題山積であり６年を経過した今なおレジストメーカーによる活発な開発が行われている。
本セミナーでは、EUVフォトレジスト材料に関し、その特有の課題の解説および各種材料の最新動向を解説するとともに、近年話題となっているPFAS規制のレジストへの影響に関し解説する。
| セミナー講演内容 |
「レジスト材料・プロセスの評価」
１．半導体とレジストについて
1.1 半導体の微細化
1.2 電子デバイスの製造工程
1.3 レジスト解像度とレジスト材料の変遷
1.4 半導体プロセスにおける各種レジスト
1.5 レジストに要求される特性
２．レジストの基本原理
2.1 レジストの基本原理（光化学反応）
2.2 レジストの現像特性（溶解性）
2.3 リソグラフィー工程とポジ/ネガ型レジスト
2.4 i線/g線用ノボラック系ポジ型レジスト
2.5 KrF用，ArF用レジスト（化学増幅型）
2.6 レジストの解像度向上
３．レジストとSi基板との密着性について
3.1 レジストの密着性の向上
3.2 HMDSの感度特性への影響
４．ノボラック系ポジ型レジストの現像特性について
4.1 レジストの現像特性の評価
4.2 レジストの分子量と溶解特性の関係
4.3 レジスト現像アナライザを用いた現像特性評価
4.4 プリベーク温度を変えたレジストの現像特性
4.5 PACのエステル化率を変化させたノボラック系ポジ型レジストの現像特性評価
□質疑応答□
「EUVリソグラフィ技術の最新動向とPFAS規制の影響」
株式会社日立ハイテク 藤森 亨 氏
１．リソグラフィ微細化の歴史
1.1 リソグラフィ概要
1.2 露光波長短波化による微細化の歴史
1.3 それをささえるフォトレジスト材料の進化
２．EUVリソグラフィ
2.1 歴史、反応機構の特徴
2.2 EUVレジスト特有の課題、ストカスティック因子とは何か？
2.3 化学増幅型レジストによる高性能化
2.4 メタルレジストとは？その特徴と例
３．PFAS規制の影響
3.1 PFAS規制とは
3.2 PFAS規制のレジスト材料への影響
3.3 PFAS freeレジストの開発動向
□質疑応答□
※詳細・お申込みは上記
「お申し込みはこちらから」（遷移先WEBサイト）よりご確認ください。
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