| イベント名 | 2nm世代以降の先端半導体配線技術の最新動向 |
|---|---|
| 開催期間 |
2026年07月24日（金）
13:00～16:30 【見逃し配信の視聴期間】 開催翌営業日から7日間［7/27～8/2中］を予定 ※動画は未編集のものになります。 ※視聴ページは、開催翌営業日にマイページへリンクを設定します。 ※会社・自宅にいながら受講可能です。 ※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。 ※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。 ■配布資料 製本テキスト(開催日の4、5日前に発送予定) ※開催まで4営業日～前日にお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。 ※Zoom上ではスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。 |
| 会場名 | 【Zoomによるライブ配信セミナー】アーカイブ(見逃し)配信付き |
| 会場の住所 | オンライン |
| お申し込み期限日 | 2026年07月24日（金）12時 |
| お申し込み受付人数 | 30 名様 |
| お申し込み |
|
2nm世代以降の先端半導体配線技術の最新動向
Cu/Low-k配線の限界、Cu延命技術、Ru/Airgap・代替材料、
信頼性課題、裏面電源配線（BSPDN）
受講料（税込）：49,500円
＼お得な割引キャンペーン実施中！／
詳細・お申し込みは「お申し込みはこちらから」よりご確認ください。
【オンライン配信】
ライブ配信 ►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください）
アーカイブ配信 ►受講方法・視聴環境確認（申込み前に必ずご確認ください）
セミナー視聴はマイページから
お申し込み後、マイページの「セミナー資料ダウンロード／映像視聴ページ」に
お申込み済みのセミナー一覧が表示されますので、該当セミナーをクリックしてください。
（アーカイブ配信は、配信日に表示されます。）
講師
芝浦工業大学 名誉教授 工学博士 上野 和良 氏
専門：集積回路配線プロセス
1984―2006：NEC、NECエレクトロニクスで半導体デバイス、集積回路配線の研究開発（Cu配線プロセスと高信頼化）
2006ー2025：芝浦工業大学教授（ナノエレクトロニクス研究室）、次世代配線材料プロセスの研究（グラフェンの配線・RFデバイス応用など）
2025―現在：2nm以降の配線技術研究
セミナー趣旨
近年、AIの急速な進展と応用の拡がりによって、それを支える先端半導体が世界的に注目されている。先端半導体では、さらなる集積度の向上が求められているが、2nm世代以降の微細配線では、従来のCu/Low-k配線による限界が見え始め、Ru/Airgapなどの新材料/新構造、裏面配線等の研究開発が盛んに行われている。
本セミナーでは、現在使われているCu/Low-k配線の基礎から、2nm世代以降の配線に向けた新材料、新構造や新プロセスの最新研究開発動向を解説する。
セミナー講演内容
１．集積回路配線の基礎知識
1.1 配線の微細化と3D化が求められる背景
1.2 配線の役割と性能指標
1.2.1 配線の役割
1.2.2 階層化された多層配線構造
1.2.3 配線の性能指標
1.2.4 各配線層の役割に応じた要求性能
1.3 配線信頼性の基礎知識
1.3.1 微細化に伴う配線信頼性の重要性
1.3.2 デバイスの故障と信頼性予測の手順
1.3.3 エレクトロマイグレーション（EM）
1.3.4 ストレス誘起ボイド（SIV）
1.3.5 TDDB
1.3.6 耐湿信頼性
1.4 Cu/Low-k配線プロセス
1.4.1 Cu/Low-kダマシンプロセスと課題
1.4.2 Low-k絶縁膜と課題
1.4.3 ダマシン法に用いる要素プロセス（バリア・ライナ、めっき、リフロー、CMP）
２．2nm以降半導体に向けた配線の材料・構造・プロセス
2.1 2nm以降半導体に向けた配線の課題
2.1.1 新材料への切り替え時期予測とロードマップ
2.1.2 2nm以降の微細パターンの形成方法（Self-Aligned Double Patterning）
2.2 Cu配線の延命
2.2.1 Advanced Low-k膜（高プラズマ耐性Low-k膜）
2.2.2 バリア/ライナーの薄膜化
2.2.3 Cu埋め込み法の改善
2.2.4 グラフェンキャップによる改善
2.2.5 ビア抵抗低減のための新構造とプロセス
2.3 Cu代替配線配線材料
2.3.1 代替配線材料の選択基準
2.3.2 代替配線材料をしぼり込む流れ
2.3.3 ルテニウム/エアギャップ配線(Ru/AG)
2.3.4 モリブデン
2.3.5 グラフェン
2.3.6 その他の代替配線材料
2.4 2nm以降の配線信頼性
2.4.1 Ru/AG配線のEM信頼性とジュール発熱
2.4.2 Ru/AG配線のTDDB信頼性
2.5 新構造とプロセス
2.5.1 配線とビアのセルフアライン接続構造とプロセス
2.5.2 裏面電源配線（Backside Power Delivery Network）と3D集積
□質疑応答□
※詳細・お申込みは上記
「お申し込みはこちらから」（遷移先WEBサイト）よりご確認ください。
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