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イベント

9/30 半導体ウェット洗浄の基礎・実践と最新洗浄技術

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エレクトロニクス 化学・材料  / 2026年09月14日 /  電子・半導体
イベント名 半導体ウェット洗浄の基礎・実践と最新洗浄技術
開催期間 2026年09月30日(水) ~ 2026年10月21日(水)
【ライブ受講】
2026年9月30日(水) 13:00~16:30
【アーカイブ受講】
2026年10月21日(水)まで受付
(配信期間:10/21~11/4)

※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

■配布資料
PDFデータ(印刷可・編集不可)
※開催2日前を目安に、主催会社様HPのS&T会員マイページよりダウンロード可となります。
※アーカイブ配信受講の場合は、配信開始日からダウンロード可となります。
会場名 【ライブ配信(Zoom使用)受講】もしくは【アーカイブ配信受講】
会場の住所 オンライン
お申し込み期限日 2026年10月21日(水)12時
お申し込み受付人数 30  名様
お申し込み

半導体ウェット洗浄の基礎・実践と最新洗浄技術

~パーティクル除去・再付着・パターンダメージ・帯電/ESD・乾燥不良の原因と対策~

受講可能な形式:【ライブ配信】or【アーカイブ配信】のみ

受講料(税込):49,500円

\お得な割引キャンペーン実施中!/
詳細・お申し込みは「お申し込みはこちらから」よりご確認ください。

【オンライン配信】
ライブ配信 ►受講方法・接続確認(申込み前に必ずご確認ください)
アーカイブ配信 ►受講方法・視聴環境確認(申込み前に必ずご確認ください)

セミナー視聴はマイページから
お申し込み後、マイページの「セミナー資料ダウンロード/映像視聴ページ」に
お申込み済みのセミナー一覧が表示されますので、該当セミナーをクリックしてください。
(アーカイブ配信は、配信日に表示されます。)


微小・ナノパーティクルを高い除去率で取り除きながら、
微細パターンを壊さず、再付着、ウォーターマーク、乾燥不良、帯電・ESDを抑えるという相反する要求にどう応えるか

『高い洗浄力』と『取る・再び付けない・壊さない・きれいに乾かす』の両立を目指して

ウェット洗浄の基礎からパーティクルの付着・除去・再付着を界面、流体、機械力、静電気の観点で体系的に解説
再現性のある洗浄ウィンドウの構築

工程構成、薬液・リンス・乾燥の基礎、パーティクルの付着・残存・再付着するメカニズム、粒径・材質・表面状態の影響
薬液洗浄、二流体スプレー、メガソニック/超音波、高圧ジェット、ブラシ洗浄の特徴と使い分け
除去率向上とパターンダメージ・倒壊抑制の両立
純水・薬液・スプレー・スピン工程で生じる帯電/ESDの発生機構と、表面電位・発生電流の測定方法
次世代物理洗浄技術と国際会議動向と今後の技術トレンドも解説

講師

愛知工業大学 工学部 電気学科 教授 博士(工学) 清家 善之 氏
※元旭サナック(株)

■略歴
1990年04月‐2016年03月旭サナック株式会社 技術統括室および品質保証室 室長
2016年04月~愛知工業大学 工学部電気学科 教授

■専門
電子デバイス製造プロセス、有機ELデバイス、有機薄膜太陽電池、スプレー、成膜、静電気、洗浄

セミナー趣旨

半導体デバイスの微細化・高集積化に伴い、ウェット洗浄には、微小・ナノパーティクルを高い除去率で取り除く一方で、微細パターンを壊さず、再付着、ウォーターマーク、乾燥不良、帯電・ESDを抑えるという相反する要求が強まっています。現場では、流量や圧力、ノズル距離、周波数、回転数、薬液濃度、処理時間などを個別に変更しても、除去率のばらつきや新たなダメージが生じ、条件設定の根拠をつかみにくいことが少なくありません。
 本セミナーでは、ウェット洗浄の基礎から出発し、パーティクルの付着・除去・再付着を界面、流体、機械力、静電気の観点から体系的に解説します。薬液洗浄に加え、二流体スプレー、メガソニック/超音波、高圧ジェット、ブラシなどの物理洗浄、IPAを用いた洗浄・乾燥、オゾン水・水素水・CO?水等の機能水を取り上げます。さらに、表面電位・発生電流の計測、帯電制御、ナノパーティクルへの対応、低薬液・低環境負荷プロセスまで扱います。洗浄力を上げるだけでなく、『取る・再び付けない・壊さない・きれいに乾かす』を両立するために、どの現象を見て、どのパラメータを振り、何を測定・評価すべきかを、現場実務に結び付けて学びます。

セミナー講演内容

1.半導体洗浄における不良発生
 1-1 半導体デバイス構造と微細化の進展
 1-2 製造プロセスにおける洗浄の役割
 1-3 なぜ洗浄不良は発生するのか
 1-4 化学洗浄と物理洗浄の役割分担
 1-5 先端半導体における洗浄工程の重要性

2.パーティクル付着・除去メカニズムと物理洗浄の本質
 2-1 パーティクル付着理論(DLVO理論)
 2-2 除去を支配する力学(流体・音響・接触)
 2-3 水流を用いた洗浄原理
 2-4 高圧スプレー洗浄
 2-5 二流体スプレー洗浄
 2-6 メガソニック洗浄
 2-7 ブラシ洗浄
 2-8 プロセスに応じた洗浄手法の使い分け
  ① 除去対象別の最適手法
  ② 過剰洗浄・ダメージの考え方
  ③ 安全・信頼性リスク

3.洗浄プロセスにおける静電気障害と歩留まり不良
 3-1 洗浄工程における静電気障害の実例
 3-2 スプレー時に発生する帯電メカニズム
 3-3 静電気対策技術
  ① 炭酸水および機能水による効果
  ② 新たな帯電制御技術

4.次世代洗浄技術とプロセス最適化の方向性
 4-1 次世代物理洗浄技術
  ① インクジェット洗浄
  ② 超臨界洗浄
  ③ ピンポイント洗浄
  ④ Solid Phase Clean洗浄
 4-2 プロセス最適化の考え方
  ① 条件設計の指針
  ② 再現性確保のポイント

5.国際会議動向と今後の技術トレンド
 5-1 UCPSS・SCSTの最新動向

質疑応用

※詳細・お申込みは上記
「お申し込みはこちらから」(遷移先WEBサイト)よりご確認ください。

※満席・日程終了などで参加が難しい場合は、下記「お問い合わせ」ボタンより再開催のリクエストを承っております

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