10/21 ＜ＡＩサーバ用電源／自動車の電動化に向けた＞シリコン、ＳｉＣ・ＧａＮパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向

＜ＡＩサーバ用電源／自動車の電動化に向けた＞シリコン、ＳｉＣ・ＧａＮパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向

■パワー半導体デバイス、パッケージの最新技術動向■
■Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題■
■パワー半導体デバイス、SiC/GaN市場予測■
■シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術■

講師

筑波大学 数理物質系 教授　岩室 憲幸　氏
＜主なご経歴・研究内容など＞
1984年 早稲田大学理工学部卒、1998年 博士（工学）（早稲田大学）
富士電機株式会社に入社。
1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、ＩＧＢＴ、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事。
1992年 North Carolina State Univ. Visiting Scholar.　MOS-gate thyristorの研究に従事。
1999年-2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事。
2009 年5月-2013年3月 (国研)産業技術総合研究所。SiC-MOSFET、SBDの研究,量産技術開発に従事。
2013年4月- 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る。
IEEE Senior Member, 電気学会上級会員、応用物理学会会員
著書・監修多数
＜受賞＞
1 日経エレクトロニクス　パワーエレクトロニクスアワード2020　最優秀賞　(2020年12月)
2 電気学会　第23回優秀活動賞　技術報告賞　(2020年4月)
3 電気学会　優秀技術活動賞　グループ著作賞(2011年)
＜専門＞
シリコン、SiCパワー半導体設計、解析技術
＜WebSite＞
http://power.bk.tsukuba.ac.jp/
https://youtu.be/VjorIIacez0

セミナー趣旨

2026年、世界はAIデータセンター電源の高効率・大容量化と、自動車電動化（xEV）の再加速に向けて大きく動いている。AIサーバ電源やxEVの性能を左右する中核部品であるパワーデバイスでは、SiC・GaNデバイスが次世代の本命として急速に存在感を高めている。すでに実機搭載も進みつつあり、今後はシリコンMOSFET・IGBTをどこまで凌駕できるかが焦点となる。
　鍵を握るのは、性能・信頼性・コストという三要素に対し、新材料デバイスがどのように市場要求へ応えていくかである。本セミナーでは、SiC/GaN技術の現状と今後の動向を整理し、さらに注目を集める酸化ガリウム（Ga₂O₃）デバイスの可能性、実装技術、そして市場予測までを、わかりやすくかつ丁寧に解説する。

セミナー講演内容

１．パワーエレクトロニクス（パワエレ）とはなに？
　1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
　1-2 パワー半導体の種類と基本構造
　1-3 パワーデバイスの適用分野
　1-4 AIデーターサーバ電源、xEV向けパワーデバイス最近のトピックス
　1-5 シリコンMOSFET・IGBTの伸長
　1-6 ノーマリ－オフ・ノーマリーオン特性とはなに？
　1-7 パワーデバイス開発のポイント

２．最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題
　2-1 パワーデバイス市場の現在と将来
　2-2 MOSFET特性改善を支える技術
　2-3 IGBT特性改善を支える技術
　2-4 IGBT薄ウェハ化の限界
　2-5 MOSFET・IGBT特性改善の次の一手
　2-6 シリコンIGBTの実装技術

３．SiCパワーデバイスの現状と課題
　3-1 半導体デバイス材料の変遷
　3-2 ワイドバンドギャップ半導体とは？
　3-3 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
　3-4 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか？
　3-5 SiC-MOSFETの勝ち筋
　3-6 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
　3-7 SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
　3-8 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
　3-9 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？
　3-10 内蔵ダイオード信頼性向上技術

４．GaNパワーデバイスの現状と課題
　4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか？
　4-2 GaNデバイスの構造
　4-3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
　4-4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？
　4-5 GaN-HEMTのノーマリ－オフ化
　4-6 GaN-HEMTの最新技術動向（高耐圧化へ向けて）
　4-7 縦型GaNデバイスの最新動向

５．酸化ガリウムパワーデバイスの現状
　5-1 酸化ガリウムの特徴は何
　5-2 最近の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況

６．SiCパワーデバイス実装技術の進展
　6-1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
　6-2 銀または銅焼結接合技術
　6-3 SiC-MOSFETモジュール技術

７．まとめ

　　□質疑応答□​

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