TDDB（酸化膜破壊）試験

■TDDB試験の概要

半導体の酸化膜に電圧を継続的にかけていると、時間が経つにつれ酸化膜の破壊が発生します。
これを酸化膜破壊（TDDB: Time Dependent Dielectric Breakdown）といい、半導体の寿命や信頼性を考える上で、最も重要な要因のうちの一つです。このTDDB試験においては、電圧加速による寿命試験を行います。

■TDDB試験の特徴

測定系を右に示します。カスタム試験装置により、
・複数電圧やドレイン-ソース電圧印加、ゲート-ソース電圧印加なども可能です。
・恒温槽に入れて、温度加速と組み合わせて試験を行うことも可能です。
・その他特殊なカスタム試験もご相談承

ります。

【試験スペック】

印加電圧：最大3kV（200mA）
検出電流：1nA（検出抵抗1MΩ挿入）
環境温度：恒温槽使用時、最高150℃、オーブン使用時、最高200℃（電圧1㎸以下）
※200℃以上は要相談

【その他応用例】 
・NG閾値の検出
数V／秒で最大XkVまで電圧上昇させ、何VでNGが発生するか確認する。

・ステップ状に電圧を印可
Xボルトから、1分ごとに数V／STEPでYボルトまで上昇させながら印可。
最大600Vまで可能。

■試験結果例

試験結果例です。寿命10年を想定した場合は、試験デバイスのゲート電圧を、20V以下で使用することが必要となります。