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事例

TDDB(酸化膜破壊)試験

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自動車 電子・半導体 試験・分析・測定

■TDDB試験の概要

半導体の酸化膜に電圧を継続的にかけていると、時間が経つにつれ酸化膜の破壊が発生します。
これを酸化膜破壊(TDDB: Time Dependent Dielectric Breakdown)といい、半導体の寿命や信頼性を考える上で、最も重要な要因のうちの一つです。このTDDB試験においては、電圧加速による寿命試験を行います。

 

 

■TDDB試験の特徴

測定系を右に示します。カスタム試験装置により、
・複数電圧やドレイン-ソース電圧印加、ゲート-ソース電圧印加なども可能です。
・恒温槽に入れて、温度加速と組み合わせて試験を行うことも可能です。
・その他特殊なカスタム試験もご相談承

ります。

 

【試験スペック】

印加電圧:最大3kV200mA
検出電流:1nA(検出抵抗1MΩ挿入)
環境温度:恒温槽使用時、最高150℃、オーブン使用時、最高200℃(電圧1㎸以下)
200℃以上は要相談

【その他応用例】 
NG閾値の検出
V/秒で最大XkVまで電圧上昇させ、何VNGが発生するか確認する。


・ステップ状に電圧を印可
X
ボルトから、1分ごとに数VSTEPYボルトまで上昇させながら印可。
最大600Vまで可能。

 


試験結果例

試験結果例です。寿命10年を想定した場合は、試験デバイスのゲート電圧を、10V以下で使用することが必要となります。

 

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