2/10 【半導体後工程技術の深化、進化、真価】 BSPDN構造・ハイブリッド接合に向けた プロセス、材料、集積技術の革新動向

横浜国立大学　理工学部　機械・材料・海洋系学科　准教授　工学(博士)　井上 史大　氏
【専門】半導体プロセス

　半導体の前工程と後工程の境目がなくなってきており、さまざまな3D集積技術がトレンドに挙がってきている。本講演でそれら技術の詳細と必要となるプロセス技術、材料を紹介する。

１．3Dロジックデバイス
　1.1 BSPDNとは？
　1.2 開発動向
　1.3 必要となる要素技術
　　　・ウエハ接合
　　　・ウエハエッジ
　　　・Si薄化
　　　・リソグラフィコレクション

２．Wafer-to-Wafer ハイブリッド接合
　2.1 ハイブリッド接合とは？
　2.2 開発動向
　2.3 Cuパッドデザイン
　2.4 アライメント精度
　2.5 接合絶縁膜
　2.6 めっき技術
　2.7 CMP技術
　2.8 洗浄技術
　2.9 プラズマ活性化技術
　2.10 接合強度測定

３．Die-to-Wafer ハイブリッド接合
　3.1 チップレット　
　3.2 ダイレベルハイブリッド
　3.3 ダイボンダ―
　3.4 ダイシング
　3.5 リコンストラクティッドボンディング
　3.6 接合強度測定手法

４．まとめ

　　□質疑応答□

※上記の前回講演骨子をベースに更新予定。

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