5/28 まで申込み受付中 【オンデマンド配信】 半導体プロセスにおける検査・解析技術の基礎と最新技術動向 〜光と電子で「見る」技術の最先端〜
| イベント名 | 【オンデマンド配信】 半導体プロセスにおける検査・解析技術の基礎と最新技術動向 〜光と電子で「見る」技術の最先端〜 |
|---|---|
| 開催期間 |
2026年05月28日（木）
23:59まで申込受付中 ／映像時間：2時間50分 ／収録日：2026年1月23日（金） ／視聴期間：申込日から10営業日後まで （期間中は何度でも視聴可） ※WEBセミナーの録音・撮影、複製は固くお断りいたします。 ※講師の所属などは、収録当時のものをご案内しております。 ※詳細・お申込みは、下記「お申し込みはこちらから」（遷移先WEBサイト）よりご確認ください。 【配布資料】 PDFテキスト(印刷可・編集不可) 申込み日から弊社HPのマイページよりダウンロード可となります。 講師メールアドレスの掲載：無 |
| 会場名 | 【オンデマンド配信】※期間中は、何度でも・繰り返し視聴可能です。 |
| 会場の住所 | オンライン |
| お申し込み期限日 | 2026年05月28日（木）23時 |
| お申し込み |
|
【オンデマンド配信】
半導体プロセスにおける検査・解析技術の基礎と最新技術動向
〜光と電子で「見る」技術の最先端〜
■ 光学・電子・プローブ顕微鏡による半導体検査と欠陥解析 ■
■ ウェハ・マスク欠陥検査、GAAトランジスタ解析 ■
【オンライン配信】
オンデマンド配信 ►受講方法・視聴環境確認 （申込み前に必ずご確認ください）
本セミナーでは、光学検査・電子顕微鏡・走査プローブ顕微鏡の基本原理から、ウェハ欠陥検査、マスク検査、GAAトランジスタ向けリセスプロセス解析など、最新の検査・解析技術までを解説します。基礎から最新動向までを幅広く学べる内容です。是非この機会にお役立てください。
■ 得られる知識 ■
・光学検査装置や電子顕微鏡、プローブ顕微鏡等の基本的な原理や特徴
・半導体プロセスで必要とされる検査技術の種類・特徴
・半導体デバイス・プロセスのトレンドと最新の検査・解析技術の動向、将来展望
キーワード：半導体プロセス、物理解析、顕微鏡、検査装置
| 講師 |
東京大学 大学院新領域創成科学研究科・特任助教 博士（理学） 藤原 弘和 氏
[ご専門]物性物理学、半導体デバイス
| セミナー趣旨 |
検査・解析により半導体デバイスの「出来栄え」を評価することは、デバイス開発、プロセス開発、製造コスト、品質保証等のあらゆる観点で不可欠なプロセスです。現代の先端ロジック・メモリ半導体集積回路を構成するデバイスは、サイズが小さくなっているのに加えて三次元化が進んでいます。半導体デバイスの世代が進むにつれて、微細かつ複雑な構造を持つデバイスをいかに検査するかという問題も大きく膨らんできています。
本講座では、半導体プロセスにおける検査・解析技術の全体像と基礎原理を理解し、半導体集積回路のトレンドを踏まえどのような技術が開発されているかを理解することを目標とします。特に、光と電子を組み合わせた新しい解析技術について詳しく解説を行います。半導体デバイス・プロセス開発や製造で検査・解析に関わる方の一助となるよう配慮した講義を行います。
| セミナー講演内容 |
1-1. 半導体集積回路のロードマップ
1-2. 半導体プロセスの基礎
1-3. 半導体プロセス中の検査の種類と用途
２．光学検査の基礎
2-1. 光学顕微鏡
2-2. レーザー顕微鏡
2-3. 白色干渉計
2-4. ウェハ欠陥検査装置
2-5. マスク検査装置
３．電子線検査の基礎
3-1. 走査型電子顕微鏡（SEM）
3-2. 透過型電子顕微鏡（TEM）
3-3. 走査透過型電子顕微鏡（STEM）
3-4. 電子エネルギー損失分光（EELS）
４．走査プローブ検査の基礎
4-1. 原子間力顕微鏡（AFM）
4-2. 走査型静電容量顕微鏡（SCM）
4-3. 走査型広がり抵抗顕微鏡（SSRM）
4-4. ケルビンプローブフォース顕微鏡（KPFM）
５．最近の検査・解析技術の動向
5-1. 半導体製造現場から高まる要求と技術課題
5-2. リソグラフィ検査―レジストの形状/化学解析
5-3. ウェハ欠陥検査―SiCウェハの非破壊検査
5-4. マスク欠陥検査―EUVマスクブランクスの位相欠陥検出
5-5. 先端プロセス・デバイス検査―GAAトランジスタ向けリセスプロセス解析
６．将来展望とまとめ
※詳細・お申込みは上記
「お申し込みはこちらから」（遷移先WEBサイト）よりご確認ください。
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