イベント
イベント名 | 徹底解説 パワーデバイス |
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開催期間 |
2024年06月19日(水)
~ 2024年06月28日(金)
【Live配信】2024年6月19日(水)10:30~16:30 【アーカイブ配信】2024年6月28日(金)まで申込み 受付(視聴期間:6/28~7/11) ※会社・自宅にいながら受講可能です※ |
会場名 | 【Live配信(Zoom使用)受講】もしくは【アーカイブ配信受講】 |
会場の住所 | オンライン |
お申し込み期限日 | 2024年06月28日(金)16時 |
お申し込み受付人数 | 30 名様 |
お申し込み |
|
徹底解説 パワーデバイス
~Si・SiC・GaN・Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題~
~パワーデバイスの高機能化から日本のパワーデバイス産業の復権に向けた展望まで~
受講可能な形式:【Live配信】or【アーカイブ配信】のみ
【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク
パワーデバイスについて分かりやすく、詳細に解説
●パワーエレクトロニクスの展開と産業構造
●パワーデバイス:Si、SiC、GaN、Ga2O3の優位性と課題
●パワーデバイスの構造と高性能化
●パワーデバイス産業の技術動向と将来展望について徹底解説!
●パワーデバイス:Si、SiC、GaN、Ga2O3の優位性と課題
●パワーデバイスの構造と高性能化
●パワーデバイス産業の技術動向と将来展望について徹底解説!
【得られる知識】
・パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイスの産業構造
・パワーデバイスによる電力変換
・パワーデバイスの構造と高性能化
・ワイドギャップ半導体の高いポテンシャルと開発ターゲット
・パワーデバイス用結晶の特異性
・Siパワーデバイスの優位性と課題
・SiCパワーデバイスの優位性と課題
・GaNパワーデバイスの優位性と課題
・Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題
・日本の電子デバイス産業における失敗事例
・パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位
・パワーデバイスによる電力変換
・パワーデバイスの構造と高性能化
・ワイドギャップ半導体の高いポテンシャルと開発ターゲット
・パワーデバイス用結晶の特異性
・Siパワーデバイスの優位性と課題
・SiCパワーデバイスの優位性と課題
・GaNパワーデバイスの優位性と課題
・Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題
・日本の電子デバイス産業における失敗事例
・パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位
【対象】
パワーエレクトロニクス製品/パワーデバイスの開発者、管理者、営業担当者
※初心者の受講でも問題ない
※初心者の受講でも問題ない
講師 |
グリーンパワー山本研究所 所長 山本 秀和 氏
専門 : 半導体デバイス、半導体結晶
経歴:元 千葉工業大学教授
元 三菱電機パワーデバイス開発部長
【講師詳細はこちら】
セミナー趣旨 |
パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、Siデバイスの性能向上に限界が見え始めており、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。SiC、GaNおよびGa2O3は、物性値自身がパワーデバイスに適しており、試作されたデバイスの特性は良好です。しかしながら、結晶製造が難しく高価で品質が劣る、信頼性に不安がある、歩留まりが低い等々、量産化には多くの課題があります。また、これまで日本はパワーデバイス産業を牽引してきましたが、その地位は徐々に落ちてきています。
本セミナーでは、Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイスの進化の歴史と課題および将来展望について、分かりやすく、かつ詳細に解説します。さらに、日本のパワーデバイス産業の復権に向けた提案を述べます。
セミナー講演内容 |
※詳細・お申込みは上記
「お申し込みはこちらから」(遷移先WEBサイト)よりご確認ください。
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