6/19 徹底解説 パワーデバイス

グリーンパワー山本研究所　所長　山本 秀和　氏　

専門 : 半導体デバイス、半導体結晶
経歴：元 千葉工業大学教授
　　　元 三菱電機パワーデバイス開発部長
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　パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、Siデバイスの性能向上に限界が見え始めており、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。SiC、GaNおよびGa2O3は、物性値自身がパワーデバイスに適しており、試作されたデバイスの特性は良好です。しかしながら、結晶製造が難しく高価で品質が劣る、信頼性に不安がある、歩留まりが低い等々、量産化には多くの課題があります。また、これまで日本はパワーデバイス産業を牽引してきましたが、その地位は徐々に落ちてきています。
　本セミナーでは、Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイスの進化の歴史と課題および将来展望について、分かりやすく、かつ詳細に解説します。さらに、日本のパワーデバイス産業の復権に向けた提案を述べます。

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