| イベント名 | 超精密研磨/CMPプロセス技術の 理解から将来型技術に挑戦 |
|---|---|
| 開催期間 |
2024年10月03日（木）
～ 2024年10月18日（金）
【ライブ配信】2024年10月3日（木） 10:30～16:30 【アーカイブ配信】2024年10月18日（金）まで受付 （視聴期間：10/18～10/31） ※会社・自宅にいながら受講可能です※ |
| 会場名 | 【Live配信（Zoom使用）受講】もしくは【アーカイブ配信受講】 |
| 会場の住所 | オンライン |
| お申し込み期限日 | 2024年10月18日（金）16時 |
| お申し込み受付人数 | 30 名様 |
| お申し込み |
|
超精密研磨/CMPプロセス技術の
理解から将来型技術に挑戦
～機能性材料基板や難加工材料の超精密加工プロセス技術、CMP技術の全貌～
【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク
CMP技術を基礎から応用、将来技術を掘り下げながら徹底解説
サファイア、SiC、GaN, Diamondなどの
CMPの研究開発に携わっている方々はもちろん、
入門・基礎編：加工メカニズム、消耗資材としてのパッド・スラリー等、平坦化CMP技術の徹底理解
加工プロセス技術編：SiC/GaN/ダイヤモンド基板を主とする難加工材料の加工プロセスの徹底理解
総括編：次世代Si半導体の高度平坦化CMP構築、More Basic CMPとMore than CMP、そしてBeyond CMP技術を目指す
そしてウエハのボンディング（接合）の基礎と事例までの全容を理解してビジネスチャンスを得る。
・超精密加工技術の現状を理解して、将来加工技術の展望を把握することによって、次の一手を考える。
・これから研磨・CMPとその周辺技術でビジネスチャンスを捕えようとする方
・加工技術・プロセス技術分野で新しいビジネスを試みたい方
・半導体加工分野で新しい領域のシーズを探索されている方
・半導体領域で横のつながり、産学連携を望む方
| 講師 |
九州大学 名誉教授 ／ 埼玉大学 名誉教授 工学博士 土肥 俊郎 氏
(株)Doi Laboratory 代表取締役
【講師紹介】
| セミナー趣旨 |
近年では、多機能・高性能化を目指した新しいデバイスが次々と提案され、とくに縦型に積層する三次元半導体デバイスのみならず、
LCRパッシブ、センサー、フォトニクス、パワー、電池など、全てのデバイスを1チップ化されていく三次元実装/チップレット化されていていく状況にあります。こういう状況の中で、半導体Si以外の新たな材料が使用されるようになってきました。特に、パワー/高周波デバイス用あるいはLED用としてサファイア、SiC、GaN, Diamondなどの難加工基板が脚光を浴びています。それに加えて、データセンター､基地局用にもLT, LN、GaAsなどの結晶基板の適用も要請されている。これらの多種多様な材料基板を高能率・高品質に超精密加工するためには、熟成・定着してきたベアSiウェーハをはじめ、デバイスウェーハ平坦化CMP技術などを例にして、加工技術の基礎を徹底理解しておくことが必要不可欠です。
本セミナーでは、長年培ってきたガラスを含めた機能性材料基板の超精密加工プロセス技術について徹底的に掘り下げた情報を盛り込みながら、あらゆる材料の超精密加工実現の門外不出のノウハウも含めながら、難加工材料のCMP技術や超精密加工プロセス技術などを詳細に解説します。さらに、究極デバイス用ダイヤモンド基板を含めた高効率加工プロセスなどについても言及し、新しい研究開発のビジネスチャンスをつかんでいただく橋渡しをさせていただきます。
| セミナー講演内容 |
—超精密加工プロセス技術と平坦化CMP技術の入門・基礎編―
【1】～研磨/CMPの発展経緯と加工メカニズム基礎、
各種基板の加工事例から基本技術を徹底理解～
（1）超精密研磨（研削/ラッピング/ポリシング/CMP等）技術の位置づけ/必要性と適用例
（2）基本的加工促進のメカニズム概要の理解
（3）各種機能性材料の超精密ポリシング
～コロイダルシリカ・ポリシング/CMPを含めて～
（4）硬軟質二層構造パッド ～高精度高品位化パッドの考案・試作～
（5）ダイラタンシー現象応用スラリーとパッドの考案・試作
（ここで登場する被加工用基板; Si, サファイア、GaAs, LT, 水晶、GGG, HD・光ファイバ用ガラス、SiC、有機結晶など）
【2】～CMP加工メカニズム・要素技術とその課題を徹底理解～
（1）デバイスウェーハの動向と平坦化CMPの必要性
（2）平坦化CMPの基本的考え方と平坦化CMPの事例 ～パッド・スラリーそして装置～
（3）パッドのドレッシング
～非破壊ドレッシング/HPMJとハイブリッドin-situ HPMJ法の提案～
（4）CMP用スラリーの設計とそのため必須のダイナミック電気化学（d－EC）装置の紹介
（5）Siウェーハのナノトポグラフィ問題、他
（ここで登場する被加工用基板; Si, SiO2, Cu, W, Co, Ta, TaN, TiN, など）
—化合物半導体の超精密加工プロセス技術の課題と将来加工技術―
【3】～革新的高能率・高品質加工プロセス技術 SiC・GaN/Diamond基板を対象として～
（1）超難加工材料の加工技術の現状把握とその課題
（2）将来型加工技術に向けて
① 加工雰囲気を制御するベルジャ型CMP装置
② パワーデバイス用SiC単結晶の光触媒反応アシストCMP特性
（3）革新的加工技術へのブレークスルー(2つの考え方)
① 加工条件改良型ブレークスルー
ダイラタンシーパッドと高速高圧加工装置の考案とその加工プロセス・加工特性事例
② 挑戦型加工によるブレークスルー
（4）将来型プラズマ融合CMP法の考案とその加工特性事例
（ここで登場する加工用基板：サファイア、Si, SiO2、SiC, GaN, ダイヤモンド、など）
—総括編：今後の加工技術を捉える/半導体Siと化合物半導体の将来展望―
【4】～次世代シリコン（Si）半導体の高度平坦化CMP構築のために～
（1）ベアシリコンウエハの超精密加工プロセスとCMP
（2）デバイスウエハのプラナリゼーション（平坦化）CMP
（3）後工程におけるプラナリゼーションCMP
（4）三次元実装/チップレット化に関わるCMPとボンディング技術
（ここでの重要キーワード；超精密CMP融合技術、超薄片化プロセス技術、大口径超精密ボンディング技術）
【5】～深化するAIと“シンギュラリティ（技術的特異点）”を見据えて～
次世代3次元異種混載デバイスを想定・化合物半導体基板の加工プロセスの課題
（1）超難加工材/ SiC, GaN, Diamondの加工プロセスはどうあるべきか
（2）More Basic CMPとMore than CMP、そしてBeyond CMP技術を目指す
質疑応答
※詳細・お申込みは上記
「お申し込みはこちらから」（遷移先WEBサイト）よりご確認ください。
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