4/20 HfO₂系強誘電体の基礎と半導体デバイス応用 －不揮発性メモリ・FeFET・次世代トランジスタへの展開－
| イベント名 | HfO₂系強誘電体の基礎と半導体デバイス応用 －不揮発性メモリ・FeFET・次世代トランジスタへの展開－ |
|---|---|
| 開催期間 |
2026年04月20日（月）
13:00～16:30 【見逃し配信の視聴期間】 2026年4月21日(火)～4月27日(月)まで ※このセミナーは見逃し配信付きです。セミナー終了後も繰り返しの視聴学習が可能です。 ※ライブ配信を欠席し見逃し視聴のみの受講も可能です。 ※動画は未編集のものになります。 ※視聴ページは、開催翌営業日の午前中には、マイページにリンクを設定する予定です。 ※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。 ※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。 ※詳細・お申込みは、下記「お申し込みはこちらから」（遷移先WEBサイト）よりご確認ください。 【配布資料】 PDFテキスト(印刷可・編集不可) ※開催2日前を目安に、弊社HPのマイページよりダウンロード可となります。 |
| 会場名 | 【Zoomによるライブ配信セミナー】アーカイブ(見逃し)配信付き |
| 会場の住所 | オンライン |
| お申し込み期限日 | 2026年04月20日（月）13時 |
| お申し込み受付人数 | 30 名様 |
| お申し込み |
|
HfO₂系強誘電体の基礎と半導体デバイス応用
－不揮発性メモリ・FeFET・次世代トランジスタへの展開－
～強誘電体の基礎から、HfO₂系の特徴・従来材料との比較、薄膜の作製・デバイス応用まで～
CMOSプロセスとの高い親和性やスケーリング可能性を有する材料として、
半導体デバイスへの応用で注目されるHfO₂系強誘電体材料。
強誘電体の基礎から、不揮発性メモリ応用と求められる強誘電体の物性、
HfO₂系強誘電体材料の特徴と従来材料との比較、HfO₂系強誘電体薄膜の作製手法と特性例、FeFETや負性容量トランジスタ、ニューロモルフィックコンピューティングなどへの応用まで解説します。
| 講師 |
北陸先端科学技術大学院大学 名誉教授 工学博士 徳光 永輔 氏
【専門】固体電子工学、電気電子材料工学、半導体デバイス、強誘電体デバイス
| セミナー趣旨 |
半導体集積回路の高性能化、高集積化、3次元化が進む中で、近年HfO₂系強誘電体材料のエレクトロニクス応用が注目されている。
本セミナーでは、最初に強誘電体の基礎とHfO₂系強誘電体材料の特徴について解説する。次にエレクトロニクス応用について、キャパシタ型とトランジスタ型不揮発性メモリの動作原理を解説し、使用する強誘電体に要求される物性について議論する。次にHfO₂系強誘電体薄膜の作製例、デバイス応用例を紹介し、最後に不揮発性メモリ以外の応用展開について述べる。
| セミナー講演内容 |
１．強誘電体の基礎
1.1 強誘電体の電気的特性
1.2 分極反転機構
２．強誘電体の不揮発性メモリ応用
2.1 半導体メモリの基本構成
2.2 キャパシタ型およびトランジスタ型強誘電体メモリの動作原理
2.3 強誘電体に要求される物性
３．HfO₂系強誘電体
3.1 歴史的背景
3.2 従来の強誘電体材料との比較
3.3 CMOSプロセスとの親和性
４．HfO₂系系系強誘電体薄膜の作製と特性例
4.1 HfO₂系強誘電体薄膜の作製手法
4.2 結晶相制御の重要性
５．HfO₂系強誘電体のデバイス応用例
5.1 強誘電体ゲートトランジスタ
６．不揮発性メモリ以外の応用展開への期待
6.1 負性容量を用いたスティープスロープトランジスタ
6.2 ニューロモルフィックコンピューティングへの応用
□ 質疑応答 □
※詳細・お申込みは上記
「お申し込みはこちらから」（遷移先WEBサイト）よりご確認ください。
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