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12/17 高感度化フォトレジスト材料の 合成・設計・開発技術

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樹脂・ゴム・高分子系複合材料 電気・電子・半導体・通信  / 2024年10月30日 /  化学・樹脂 電子・半導体
イベント名 高感度化フォトレジスト材料の 合成・設計・開発技術
開催期間 2024年12月17日(火) ~ 2025年01月07日(火)
【ライブ配信】2024年12月17日(火)10:30~16:30
【アーカイブ配信】2025年1月7日(火)まで受付
(視聴期間:1/7~1/21)
※会社・自宅にいながら受講可能です※
会場名 【Live配信(Zoom使用)受講】もしくは【アーカイブ配信受講】
会場の住所 オンライン
お申し込み期限日 2025年01月07日(火)16時
お申し込み受付人数 30  名様
お申し込み

高感度化フォトレジスト材料の
合成・設計・開発技術

~分子設計・合成方法と最新型EUV用レジスト材料の研究動向~

 

受講可能な形式:【ライブ配信】or【アーカイブ配信】のみ

【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク 

EUV用レジスト材料など更なる高感度化が求められる新規レジスト材料の開発
メタルレジスト、化学増幅型レジスト、非化学増幅型レジスト材料、、、、

EUV露光システムの能力を十分に引き出せるレジスト材料の合成・設計・開発
高分子・低分子化合物のレジスト材料に関する基礎や評価方法を解説
 
【得られる知識】
レジスト材料の合成方法、評価方法、開発方法
 
【対象】
レジスト材料の開発に関する研究にご興味がある方
 
キーワード:レジスト材料、化学増幅型レジスト、非化学増幅型レジスト、EUV用レジスト材料、高感度化レジスト材料
  
 講師

 

関西大学 化学生命工学部 化学・物質工学科 教授 博士(工学) 工藤 宏人 氏
【講師紹介】

 

 セミナー趣旨

 

 フォトレジスト材料の開発は、G線、i線、KrFおよびArFエキシマーレーザーと、露光システムの変遷により、そのレジスト材料の骨格を変化させ、露光システムに対応したレジスト材料が開発されてきた。現在、極端紫外線(EUV)露光システムが実用段階として運用されようとしている。しかしながら、EUV露光システムの能力を十分に引き出せるレジスト材料が開発されていない。


 本テーマでは、これまで開発されてきたレジスト材料の基本的な構造を紹介しながら、レジスト材料の合成方法について、基本的な合成方法から最新の合成例について解説する。さらに、分子レジストや化学増幅型レジストの原理や合成方法について解説し、EUV用レジスト材料の研究開発例を紹介し、それらの問題点、および今後の分子設計方法について解説する。

 

 セミナー講演内容

 

1.レジスト材料
 1.1 原理
 1.2 合成例
 1.3 最新の化学増幅型

2.ポジ型レジスト材料
 2.1 材料的な特性
 2.2 主な応用・用途

3.ネガ型レジスト材料
 3.1 材料的な特性
 3.2 主な応用・用途

4.高分子レジスト材料と低分子レジスト
 4.1 材料的な特性
 4.2 主な応用・用途

5.EUV用レジスト材料の評価方法と開発方法の実例
 5.1 レジスト材料の評価項目,評価手法について
 5.2 レジスト材料の評価方法と開発例

6.最新型EUV用レジスト材料
 6.1 メタルレジスト
 6.2 化学増幅型レジストと非化学増幅型レジスト材料

7. 質疑応答

※詳細・お申込みは上記

「お申し込みはこちらから」(遷移先WEBサイト)よりご確認ください。

 

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