| イベント名 | 半導体用レジストの基礎と材料設計 および環境配慮型の新規レジスト除去技術 |
|---|---|
| 開催期間 |
2025年02月20日（木）
～ 2025年03月05日（水）
【Live配信】2025年2月20日（木）10:30～16:30 【アーカイブ配信】2025年3月5日（水）まで受付 (視聴期間：3/5～3/18） ※会社・自宅にいながら受講可能です※ |
| 会場名 | 【Live配信（Zoom使用）受講】もしくは【アーカイブ配信受講】 |
| 会場の住所 | オンライン |
| お申し込み期限日 | 2025年03月05日（水）16時 |
| お申し込み受付人数 | 30 名様 |
| お申し込み |
|
半導体用レジストの基礎と材料設計
および環境配慮型の新規レジスト除去技術
～レジストの特性や光化学反応、評価手法、
EUVレジストや化学増幅型レジストなどを丁寧に解説～
【半導体産業応援キャンペーン対象セミナー】3名以上のお申込みでさらにおトク
レジスト材料（感光性樹脂）やプロセスの基礎から、ノボラック系ポジ型レジストおよびEUVレジストの材料設計、感度や解像度の向上技術、水素ラジカル・湿潤オゾン・マイクロバブル水を活性種として用いた環境に配慮したレジスト剥離技術までを分かりやすく解説します。
また、デバイスメーカー出身の講師視点から、レジストメーカーに原料を提供する素材メーカーにおける具体的なレジスト評価法についても詳しく解説します。
是非この機会にお役立てください。
・レジストを製造するための基礎知識、材料設計指針
・レジストを使用する際の留意事項
・リソグラフィープロセスについて
・素材メーカー、レジストメーカーとしてのデバイスメーカー対応能力
・レジスト材料（ノボラック系ポジ型レジスト、化学増幅型レジスト）
・レジスト評価法について
・レジスト除去（剥離）技術について
・レジスト除去（剥離）技術の研究や開発に関わる方
・半導体、ディスプレイ、MEMSなどのデバイス開発、製造、販売に携わる方
・レジストメーカー、およびレジストメーカーに原料を提供する素材メーカーの方
【キーワード】
レジスト、リソグラフィー、ノボラック系ポジ型レジスト、レジスト現像アナライザ（RDA）、化学増幅ポジ型レジスト、ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤、i線厚膜レジスト、レジスト除去（剥離）、オゾン、水素ラジカル、マイクロ（ナノ）バブル
| 講師 |
大阪公立大学 学長特別補佐
大学院工学研究科 物質化学生命系専攻 化学バイオ工学分野 高分子化学研究グループ 教授
博士(工学) 堀邊 英夫 氏 【講師紹介】
[ご専門]
高分子物性（フィラー分散高分子の電気特性、PVDFの結晶構造制御、レジスト材料・プロセス、活性種とポリマーとの反応性）
WEBページ https://www.omu.ac.jp/eng/polymer2021_lab/
| セミナー趣旨 |
半導体用レジスト技術の基礎から解説し、特にレジスト材料 (感光性樹脂) ・プロセス、ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分 (ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤) ポジ型レジストのそれぞれの化学成分とレジスト特性との関係について解説します。
半導体、LCD等の電子デバイス製造では、成膜、パターン作製 (レジスト塗布、露光、現像) 、エッチング、レジスト剥離、洗浄等のプロセスを複数回繰り返すことにより、基板上に微細素子がパターンニングされたトランジスタが形成される。これらの工程はリソグラフィー工程と呼ばれ、おおよそ20回から30回繰り返されることになる。
本講演では、特にレジスト材料 (感光性樹脂) ・プロセスについて解説するとともに、ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分 (ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤) ポジ型レジストのそれぞれの化学成分とレジスト特性との関係について解説する。
レジスト剥離 (除去)技術 については、環境に優しい新規な技術として、活性種として水素ラジカル、湿潤オゾン、マイクロバブル水を用いた技術について解説する。
また、元デバイスメーカーにいた者の視線で、レジストメーカーに原料を提供する素材メーカーにおけるレジスト評価法の具体的な手法について丁寧に解説したい。
| セミナー講演内容 |
※詳細・お申込みは上記
「お申し込みはこちらから」（遷移先WEBサイト）よりご確認ください。
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